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龍圖騰網(wǎng)恭喜南昌凱迅光電有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種超晶格空間GaInP/InGaAs/Ge電池外延片的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN109560166B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201811416792.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種超晶格空間GaInP/InGaAs/Ge電池外延片的制造方法是由萬(wàn)智;徐培強(qiáng);林曉珊;張銀橋;汪洋;王向武設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-01-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種超晶格空間GaInP/InGaAs/Ge電池外延片的制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種超晶格空間GaInPInGaAsGe電池外延片的制造方法，目前，GaInPInGaAsGe三結(jié)電池中Ge材料禁帶寬度較小，吸收的光譜范圍較寬，導(dǎo)致其電流密度遠(yuǎn)大于InGaAs中電池和GaInP頂電池層，造成了太陽(yáng)光的利用率的損失，本發(fā)明公開(kāi)了一種超晶格空間GaInPInGaAsGe電池外延片的制造方法，它是分別在中電池和頂電池的基區(qū)中引入超晶格結(jié)構(gòu)，即：本發(fā)明通過(guò)在中電池的p?GaInAs基區(qū)層和頂電池的p?GaInP基區(qū)層之中分別引入GaAsPGaInAs和GaInPAlGaInP超晶格，因而能改善電池中的電流匹配，提高電池的的抗輻照性能，同時(shí)使少數(shù)光生載流子收集效率提升，減少光生載流子的輻射復(fù)合，從而提高了空間GaInPInGaAsGe電池外延片的光電轉(zhuǎn)化效率，使電池性能進(jìn)一步提升。

本發(fā)明授權(quán)一種超晶格空間GaInP/InGaAs/Ge電池外延片的制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種超晶格空間GaInPInGaAsGe電池外延片的制造方法，其特征在于：在中電池和頂電池分別引入GaAsPGaInAs和GaInPAlGaInP超晶格層，具體步驟如下： 運(yùn)用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀設(shè)備MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD，在p-Ge襯底上依次沉積n-AlGaInP成核層，n-GaAs-GaInAs緩沖層，n++-GaAsp++-GaAs隧穿結(jié)層，p-AlGaAsp-AlGaInAsDBR反射層，p-AlGaAs背場(chǎng)層，p-GaInAs基區(qū)層，GaAsPGaInAs超晶格層，n-GaInAs發(fā)射區(qū)層，n-AlInP窗口層，n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿結(jié)層，p-AlGaInP背場(chǎng)層，p-GaInP基區(qū)層，GaInPAlGaInP超晶格層，n-GaInP發(fā)射區(qū)層，n-AlInP窗口層和n+-GaAs歐姆接觸層； 襯底材料為p型Ge襯底，摻雜Ga源、摻雜濃度為0.2E18～3E18cm-3，厚度為130～150μm，9°切角； n-AlGaInP成核層沉積厚度為0.01μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度為1～2×1018cm-3； n-GaAs-GaInAs緩沖層沉積厚度為0.5μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度為≥1×1018cm-3； n++-GaAsp++-GaAs隧穿結(jié)層，其中n++-GaAs層沉積厚度為0.01-0.03μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度為≥5×1018cm-3，p++-GaAs層沉積厚度為0.01-0.03μm，摻雜CCl4源、摻雜濃度為≥1×1019cm-3； p-AlGaAsp-AlGaInAs反射層沉積厚度為1.8μm，摻雜DEZn源、摻雜濃度為5×1017cm-3； p-AlGaAs背場(chǎng)層沉積厚度為0.1μm，摻雜DEZn源、摻雜濃度為1～2×1018cm-3； p-GaInAs基區(qū)層沉積總厚度為0.3μm，分三層，每層0.1μm，三層間插入兩組超晶格結(jié)構(gòu)，摻雜DEZn源、摻雜濃度都為2～8×1016cm-3； 超晶格材料為GaAsPGaInAs，阱層厚度逐漸減薄； n-GaInAs發(fā)射區(qū)層沉積厚度為0.1μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度為1×1018cm-3； n-AlInP窗口層沉積厚度為0.1μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度為1×1018cm-3； n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿結(jié)層，其中n++-GaInP層沉積厚度為0.01-0.03μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度為≥5×1018cm-3，p++-AlGaAs層沉積厚度為0.01-0.03μm，摻雜CCl4源、摻雜濃度為≥5×1019cm-3； p-AlGaInP背場(chǎng)層沉積厚度為0.1μm，摻雜DEZn源、摻雜濃度為1～2×1018cm-3； p-GaInP基區(qū)層沉積厚度為0.2μm，分兩層，每層0.1μm，兩層間插入超晶格結(jié)構(gòu)，摻雜DEZn源、摻雜濃度為1～8×1016cm-3； 超晶格材料為GaInPAlGaInP，阱層厚度逐漸減薄； n-GaInP發(fā)射區(qū)層沉積厚度為0.1μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度為1×1018cm-3； n-AlInP窗口層沉積厚度為0.1μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度為1×1018cm-3； n+-GaAs歐姆接觸層沉積厚度為0.5μm，摻雜SiH4源、摻雜濃度大于5×1018cm-3； 在GaAsPGaInAs超晶格中，阱層材料為Ga0.94In0.06As，壘層的材料為GaAs0.5P0.5；GaInAs層沉積厚度分別為0.12μm、0.105μm、0.09μm、0.075μm、0.06μm、0.045μm、0.03μm； 在GaInPAlGaInP超晶格中，阱層材料為Ga0.45In0.55P，壘層材料為Al0.1Ga0.90.5In0.5P；GaInP層沉積厚度分別為0.12μm、0.105μm、0.09μm、0.075μm、0.06μm、0.045μm、0.03μm。

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