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龍圖騰網(wǎng)恭喜電力集成公司申請的專利用于增強(qiáng)功率半導(dǎo)體器件中的擊穿電壓的多晶硅保護(hù)環(huán)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113994479B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980097671.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/00；該發(fā)明授權(quán)用于增強(qiáng)功率半導(dǎo)體器件中的擊穿電壓的多晶硅保護(hù)環(huán)是由楊國彰;S·杰奧爾杰斯庫設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-06-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于增強(qiáng)功率半導(dǎo)體器件中的擊穿電壓的多晶硅保護(hù)環(huán)在說明書摘要公布了：本文提出了用于增強(qiáng)功率半導(dǎo)體器件中的擊穿電壓的耦合式多晶硅保護(hù)環(huán)。多晶硅保護(hù)環(huán)被設(shè)置在功率器件漂移區(qū)域上方并且電耦合到功率器件區(qū)域例如，器件擴(kuò)散部，以便散布與運(yùn)行電壓相關(guān)聯(lián)的電場。此外，PN結(jié)即，P型結(jié)和N型結(jié)在多晶硅保護(hù)環(huán)內(nèi)形成，以以反向偏壓運(yùn)行，使得在功率器件區(qū)域例如，器件擴(kuò)散部之間具有低泄漏電流。低泄漏電流可以有利地增強(qiáng)電場散布，而不有害地影響現(xiàn)有的即，常規(guī)的功率器件性能；并且增強(qiáng)的電場散布進(jìn)而可以降低擊穿電壓漂移。

本發(fā)明授權(quán)用于增強(qiáng)功率半導(dǎo)體器件中的擊穿電壓的多晶硅保護(hù)環(huán)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 第一器件區(qū)域； 第二器件區(qū)域； 漂移區(qū)域，所述漂移區(qū)域位于所述第一器件區(qū)域和所述第二器件區(qū)域之間； 第一保護(hù)環(huán)和第二保護(hù)環(huán)，每個保護(hù)環(huán)包括保護(hù)環(huán)圖案并且包括電耦合在所述第一器件區(qū)域和所述第二器件區(qū)域之間的至少一個二極管；以及 第一淺溝槽隔離溝槽和第二淺溝槽隔離溝槽，每個淺溝槽隔離溝槽包括與相應(yīng)的所述第一保護(hù)環(huán)和所述第二保護(hù)環(huán)的保護(hù)環(huán)圖案一致的溝槽圖案，其中所述第一保護(hù)環(huán)被設(shè)置在所述第一淺溝槽隔離溝槽的氧化物上，所述第二保護(hù)環(huán)被設(shè)置在所述第二淺溝槽隔離溝槽的氧化物上，并且所述第一淺溝槽隔離溝槽和第二淺溝槽隔離溝槽是分隔開的； 其中所述半導(dǎo)體器件被配置為接收所述第一器件區(qū)域和所述第二器件區(qū)域之間的電壓， 其中所述至少一個二極管被配置為響應(yīng)于所述電壓而提供泄漏電流，并且 其中所述第一保護(hù)環(huán)和所述第二保護(hù)環(huán)被配置為支持響應(yīng)于所述電壓的所述漂移區(qū)域內(nèi)的電場。

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