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龍圖騰網(wǎng)恭喜李衛(wèi)民申請(qǐng)的專利通過濕化學(xué)法選擇性去除Si3N4獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113632199B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-24發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080015854.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)通過濕化學(xué)法選擇性去除Si3N4是由李衛(wèi)民設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-02-20向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本通過濕化學(xué)法選擇性去除Si3N4在說明書摘要公布了：公開了一種用于處理襯底的系統(tǒng)和一種用于處理襯底的方法。用于處理基板的系統(tǒng)包括被配置為接收基板的處理室，其中基板暴露于處理室中的蝕刻劑以移除基板的一部分并產(chǎn)生對(duì)基板的通路。蝕刻液中的副產(chǎn)物；副產(chǎn)物去除部，用于將副產(chǎn)物轉(zhuǎn)化為沉淀物并去除沉淀物，從而去除副產(chǎn)物。去除副產(chǎn)物后，蝕刻溶液循環(huán)回到處理室。

本發(fā)明授權(quán)通過濕化學(xué)法選擇性去除Si3N4在權(quán)利要求書中公布了：1.一種從半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)中去除材料的系統(tǒng)，包括： 處理腔室被配置為接收半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)暴露于處理腔室中的蝕刻劑以去除結(jié)構(gòu)的一部分并產(chǎn)生進(jìn)入蝕刻劑的副產(chǎn)物； 副產(chǎn)物去除部，用于將副產(chǎn)物轉(zhuǎn)化為沉淀物并去除沉淀物，從而連續(xù)去除副產(chǎn)物；和在副產(chǎn)物去除后將蝕刻劑重新引入處理室的循環(huán)線； 所述副產(chǎn)物去除部包括沉淀促進(jìn)劑供給部和過濾器，其中所述過濾器被配置為去除所述沉淀物； 所述沉淀促進(jìn)劑包括用于在其上沉淀副產(chǎn)物的固體結(jié)構(gòu)； 所述固體結(jié)構(gòu)包括分子篩、二氧化硅、硅酸鹽或硅氧烷。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人李衛(wèi)民，其通訊地址為：美國康尼狄克州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。