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龍圖騰網(wǎng)恭喜福建省晉華集成電路有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法及半導(dǎo)體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115347034B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210925364.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法及半導(dǎo)體裝置是由張欽福;程恩萍;馮立偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-06-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法及半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法及半導(dǎo)體裝置，該結(jié)構(gòu)包括設(shè)置有有源區(qū)和淺溝槽隔離區(qū)的基底，其中淺溝槽隔離區(qū)的上表面低于有源區(qū)的上表面；隨形覆蓋基底的堆疊結(jié)構(gòu)；淺溝槽隔離區(qū)上還設(shè)置有覆蓋堆疊結(jié)構(gòu)的第一絕緣層、覆蓋第一絕緣層的第二絕緣層和覆蓋第二絕緣層的第三絕緣層；有緣區(qū)上設(shè)置有覆蓋堆疊結(jié)構(gòu)的第一絕緣層，該第一絕緣層上表面和第三絕緣層的上表面處于相同的平面。該結(jié)構(gòu)可以提供具有平坦上表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且避免了現(xiàn)有技術(shù)中通過研磨有源區(qū)上的第一絕緣層至與淺溝槽隔離區(qū)上的第一絕緣層水平來實現(xiàn)平坦化，提高了漏電的風(fēng)險，降低了半導(dǎo)體器件工作的穩(wěn)定性的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)制備方法及半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括有源區(qū)和淺溝槽隔離區(qū)，所述淺溝槽隔離區(qū)中有一上表面低于所述有源區(qū)的上表面； 第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述有源區(qū)和所述淺溝槽隔離區(qū)； 第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋設(shè)置在所述淺溝槽隔離區(qū)上的所述第一絕緣層，并且所述第二絕緣層與所述第一絕緣層在所述淺溝槽隔離區(qū)接觸； 第三絕緣層，所述第三絕緣層設(shè)置在所述第二絕緣層上，所述第三絕緣層的上表面與設(shè)置在所述有源區(qū)上的所述第一絕緣層的上表面處于相同的平面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學(xué)園聯(lián)華大道88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。