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龍圖騰網恭喜清華大學合肥公共安全研究院;安徽辰控智能科技有限公司申請的專利一種壓電陶瓷功率驅動裝置及其驅動方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110380639B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-24發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910720024.7，技術領域涉及：H02N2/00；該發明授權一種壓電陶瓷功率驅動裝置及其驅動方法是由張飛;毛赫;李云飛;楊效龍;劉明設計研發完成，并于2019-08-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種壓電陶瓷功率驅動裝置及其驅動方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種壓電陶瓷功率驅動裝置及其驅動方法，所述裝置包括光電隔離電路、變壓器驅動電路、變壓器T、阻抗變換電路以及壓電陶瓷，控制信號經光電隔離電路輸入到變壓器驅動電路，變壓器驅動電路包括MOS管驅動電路和H橋驅動電路，光電隔離電路的輸出端連接MOS管驅動電路的輸入端，MOS管驅動電路的輸出端連接H橋驅動電路的輸入端，H橋驅動電路的輸出端連接變壓器T，變壓器T的次級線圈通過阻抗變換電路連接壓電陶瓷；所述方法包括在控制信號的一個周期內將控制信號按時序劃分為T1時段、T2時段、T3時段以及T4時段，在不同時段控制各MOS管的導通和截止時間；本發明的優點在于：消除變壓器偏磁，降低磁飽和現象以及實現高頻率大功率驅動。

本發明授權一種壓電陶瓷功率驅動裝置及其驅動方法在權利要求書中公布了：1.一種壓電陶瓷功率驅動裝置，其特征在于，所述裝置包括光電隔離電路、變壓器驅動電路、變壓器T、阻抗變換電路以及壓電陶瓷，控制信號經光電隔離電路輸入到變壓器驅動電路，所述變壓器驅動電路包括MOS管驅動電路和H橋驅動電路，所述光電隔離電路的輸出端連接MOS管驅動電路的輸入端，所述MOS管驅動電路的輸出端連接所述H橋驅動電路的輸入端，所述H橋驅動電路的輸出端連接變壓器T，所述變壓器T的次級線圈通過阻抗變換電路連接所述壓電陶瓷；所述MOS管驅動電路包括電阻R2、電阻R3、三極管Q5A、三極管Q6A，所述H橋驅動電路包括MOS管Q4B、MOS管Q3B、MOS管Q3A、MOS管Q4A、電阻R8以及電阻R9，所述MOS管Q4B的源極接電阻R2的另一端并接電源VCC，所述MOS管Q4B的柵極接電阻R2的一端，所述MOS管Q4B的漏極接MOS管Q3A的漏極，MOS管Q3A的柵極接三極管Q5A的發射極，MOS管Q3A的源極通過電阻R8接地；所述MOS管Q3B的源極接電阻R3的另一端并接電源VCC，所述MOS管Q3B的柵極接電阻R3的一端，所述MOS管Q3B的漏極接MOS管Q4A的漏極，MOS管Q4A的柵極接三極管Q6A的發射極，MOS管Q4A的源極通過電阻R9接地； 在控制信號的一個周期內將控制信號按時序劃分為T1時段、T2時段、T3時段以及T4時段，T1時段，MOS管Q4B與MOS管Q4A導通，MOS管Q3B與MOS管Q3A截止，此時變壓器T的初級線圈兩端電壓u為VCC；T2時段，MOS管Q4B與MOS管Q3B截止，MOS管Q4A與MOS管Q3A導通，此時變壓器T的初級線圈的電流通過MOS管Q4A與MOS管Q3A釋放；T3時段，MOS管Q3B與MOS管Q3A導通，MOS管Q4B與MOS管Q4A截止，此時電壓電流反向，變壓器T的初級線圈兩端電壓u為-VCC；T4時段，MOS管Q4B與MOS管Q3B截止，MOS管Q4A與MOS管Q3A導通，此時變壓器T的初級線圈的電流通過MOS管Q4A與MOS管Q3A釋放，一個周期內，變壓器T的初級線圈兩端電壓峰值增加一倍，實現高頻率大功率驅動。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人清華大學合肥公共安全研究院;安徽辰控智能科技有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經開區習友路5999號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。