恭喜現代自動車株式會社;起亞自動車株式會社周洛龍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜現代自動車株式會社;起亞自動車株式會社申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111276530B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910481899.6，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體器件及其制造方法是由周洛龍設計研發完成，并于2019-06-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及其制造方法。根據本公開的示例性實施例的半導體器件包括：設置在基底的第一表面中的n?型層；設置在n?型層上的n型層；設置在n型層上的第一電極，以及設置在基底的第二表面中的第二電極，其中，n?型層的能帶隙大于n型層的能帶隙。
本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 設置在基底的第一表面中的n-型層； 設置在所述n-型層上的n型層； 設置在所述n型層上的第一電極，以及 設置在所述基底的第二表面中的第二電極， 其中，所述n-型層的能帶隙大于所述n型層的能帶隙， 其中，所述n-型層包括碳化硅，并且所述n型層包括硅， 其中，所述半導體器件還包括 設置在所述n-型層和所述n型層之間的低濃度硅n型層，并且所述低濃度硅n型層的離子摻雜濃度小于所述n-型層的離子摻雜濃度， 其中，在所述低濃度硅n型層包括硅的情況下，異質結形成在所述n-型層和所述低濃度硅n型層的接觸表面中；或者 其中，在所述低濃度硅n型層包括碳化硅的情況下，異質結形成在所述低濃度硅n型層和所述n型層的接觸表面中。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人現代自動車株式會社;起亞自動車株式會社，其通訊地址為：韓國首爾；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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