恭喜中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司李強獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114530369B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011324630.6，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權半導體結構的形成方法是由李強設計研發完成，并于2020-11-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供待刻蝕層，所述待刻蝕層包括第一區和環繞所述第一區的第二區，所述第二區的頂部表面低于所述第一區的頂部表面；在所述待刻蝕層上形成第一圖形材料層；向所述第一圖形材料層表面注入第一離子，使位于所述第二區上的第一圖形材料層脫落，至少部分脫落的第一圖形材料層黏附至所述待刻蝕層表面形成殘留物；清洗去除所述殘留物，使位于所述第二區表面黏附不牢的第一圖形材料層在后續工藝進行前脫離并去除，避免影響后續的刻蝕工藝過程，降低了位于晶圓邊緣的待刻蝕層高度差對后續圖形定義中刻蝕過程的影響，提高了圖形定義的準確度，從而提高了器件的性能。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蝕層，所述待刻蝕層包括第一區和環繞所述第一區的第二區，所述第二區的頂部表面低于所述第一區的頂部表面； 在所述待刻蝕層上形成第一圖形材料層； 向所述第一圖形材料層表面注入第一離子，使位于所述第二區上的第一圖形材料層脫落，至少部分脫落的第一圖形材料層黏附至所述待刻蝕層表面形成殘留物； 清洗去除所述殘留物； 清洗去除所述殘留物后，在所述第一圖形材料層表面形成圖像化結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區經濟技術開發區文昌大道18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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