恭喜旺宏電子股份有限公司李冠儒獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜旺宏電子股份有限公司申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114551453B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011384382.4,技術領域涉及:H10B41/30;該發明授權半導體裝置是由李冠儒設計研發完成,并于2020-12-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了:本發明公開了一種半導體裝置,其中包括一疊層以及多個存儲器串列。疊層形成于一襯底上,疊層包括交替疊層的多個導電層及多個絕緣層。存儲器串列沿著一第一方向穿過疊層,各個存儲器串列包括第一導電柱及第二導電柱、一通道層以及一存儲器結構。第一導電柱及一第二導電柱分別沿著第一方向延伸且彼此電性隔離。通道層沿著第一方向延伸,其中通道層設置于第一導電柱與第二導電柱之間,且通道層耦接于第一導電柱與第二導電柱。存儲器結構繞該第一導電柱、第二導電柱及通道層。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了:1.一種半導體裝置,其中,包括: 一疊層,形成于一襯底上,該疊層包括交替疊層的多個導電層及多個絕緣層;以及 多個存儲器串列,沿著一第一方向穿過該疊層,各該存儲器串列包括: 一第一導電柱及一第二導電柱,分別沿著該第一方向延伸且彼此電性隔離; 一通道層,沿著該第一方向延伸,其中該通道層設置于該第一導電柱與該第二導電柱之間,且該通道層耦接于該第一導電柱與該第二導電柱;以及 一存儲器結構,環繞該第一導電柱、該第二導電柱及該通道層,其中,在垂直于第一方向的橫截面上,該存儲器結構共形于該第一導電柱、該第二導電柱及該通道層。
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