恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司林士堯獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113178417B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011416151.7，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構及其制造方法是由林士堯;高魁佑;林志翰;張銘慶;陳昭成設計研發完成，并于2020-12-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體結構及其制造方法。一種方法，包括：在半導體區域之上沉積虛設柵極電介質層；沉積虛設柵極電極層；以及執行第一蝕刻工藝。蝕刻虛設柵極電極層的上部以形成虛設柵極電極的上部。方法還包括在虛設柵極電極的上部的側壁上形成保護層，并且執行第二蝕刻工藝。蝕刻虛設柵極電極層的下部以形成虛設柵極電極的下部。然后使用保護層作為蝕刻掩模來執行第三蝕刻工藝以蝕刻虛設柵極電極的下部。虛設柵極電極通過第三蝕刻工藝而呈錐形。移除保護層，并且利用替換柵極電極來替換虛設柵極電極。
本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體結構的方法，包括： 在半導體區域之上沉積虛設柵極電介質層； 在所述虛設柵極電介質層之上沉積虛設柵極電極層； 執行第一蝕刻工藝，其中，所述虛設柵極電極層的上部被蝕刻以形成虛設柵極電極的上部； 在所述虛設柵極電極的上部的側壁上形成保護層； 執行第二蝕刻工藝，其中，所述虛設柵極電極層的下部被蝕刻以形成所述虛設柵極電極的下部； 在所述第二蝕刻工藝之后，形成附加蝕刻掩模以覆蓋附加虛設柵極電極； 在所述附加蝕刻掩模形成之后，使用所述保護層作為蝕刻掩模來執行第三蝕刻工藝以蝕刻所述虛設柵極電極的下部，其中，所述虛設柵極電極通過所述第三蝕刻工藝而呈錐形； 在所述第三蝕刻工藝之后，移除所述附加蝕刻掩模； 移除所述保護層；以及 利用替換柵極電極來替換所述虛設柵極電極。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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