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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113764346B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110931501.1，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體結構及其形成方法是由王姝雯;廖志騰;陳志山;謝瑞夫;羅裕智設計研發完成，并于2021-08-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：方法包括：在第一鰭上方形成間隔件層的第一部分并且在第二鰭上方形成間隔件層的第二部分；實施第一蝕刻工藝以使間隔件層的第一部分相對于間隔件層的第二部分凹進，以在第一鰭的側壁上形成第一間隔件；隨后實施第二蝕刻工藝以使間隔件層的第二部分相對于第一間隔件凹進，以在第二鰭的側壁上形成第二間隔件，其中，第二間隔件形成為比第一間隔件的高度大的高度；以及在第一間隔件和第二間隔件之間分別形成第一外延源極漏極部件和第二外延源極漏極部件，其中，第一外延源極漏極部件大于第二外延源極漏極部件。本申請的實施例還涉及半導體結構及其形成方法。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體結構的方法，包括： 提供具有第一器件區域和第二器件區域的襯底； 在所述第一器件區域中形成第一半導體鰭，并且在所述第二器件區域中形成第二半導體鰭； 在所述襯底上方形成間隔件層，其中，所述間隔件層的第一部分形成在所述第一半導體鰭上方，并且所述間隔件層的第二部分形成在所述第二半導體鰭上方； 實施第一蝕刻工藝以使所述間隔件層的所述第一部分相對于所述間隔件層的所述第二部分凹進，從而在所述第一半導體鰭的側壁上形成第一鰭間隔件； 蝕刻所述第一半導體鰭以在所述第一鰭間隔件之間形成第一源極漏極凹槽； 在所述第一源極漏極凹槽中形成第一外延源極漏極部件； 在形成所述第一外延源極漏極部件之后，實施第二蝕刻工藝以使所述間隔件層的所述第二部分相對于所述間隔件層的所述第一部分凹進，包括循環地使所述間隔件層的所述第二部分凹進以及在所述第二半導體鰭上方再沉積蝕刻副產物，從而在所述第二半導體鰭的側壁上形成第二鰭間隔件，其中，所述第二鰭間隔件形成為比所述第一鰭間隔件的高度大的高度； 蝕刻所述第二半導體鰭以在所述第二鰭間隔件之間形成第二源極漏極凹槽；以及 在所述第二源極漏極凹槽中形成第二外延源極漏極部件，其中，所述第二外延源極漏極部件形成為比所述第一外延源極漏極部件的尺寸小的尺寸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。