買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜安徽大學申請的專利一種二次氣相包覆氧化亞硅負極材料及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119965253B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510448271.1，技術領域涉及：H01M4/36；該發(fā)明授權一種二次氣相包覆氧化亞硅負極材料及其制備方法是由張朝峰;張龍海;王睿;戴濤設計研發(fā)完成，并于2025-04-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種二次氣相包覆氧化亞硅負極材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種二次氣相包覆氧化亞硅負極材料及其制備方法，屬于鋰離子電池電極材料技術領域，在氧化石墨烯納米片表面原位生成鋅金屬框架，得到鋅金屬框架石墨烯納米片，再將鋅金屬框架石墨烯納米片混入水性環(huán)氧樹脂并對摻鑭鎂二次氣相包覆氧化亞硅粉末進行包覆，然后碳化得到碳包覆摻鑭鎂氧化亞硅粉末，將碳包覆摻鑭鎂氧化亞硅粉末、粘結劑、導電炭黑劑和去離子水加入混合脫泡機中攪拌混合，干燥，制得二次氣相包覆氧化亞硅負極材料；具有更高的電導率、首次庫倫效率和100次循環(huán)容量保持率及更低的體積變化百分比。

本發(fā)明授權一種二次氣相包覆氧化亞硅負極材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種二次氣相包覆氧化亞硅負極材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟一：在氧化石墨烯納米片表面原位生成鋅金屬框架，得到鋅金屬框架石墨烯納米片，再將鋅金屬框架石墨烯納米片混入水性環(huán)氧樹脂并對摻鑭鎂二次氣相包覆氧化亞硅粉末進行包覆，得到樹脂包覆摻鑭鎂氧化亞硅粉末； 步驟二：將樹脂包覆摻鑭鎂氧化亞硅粉末置于管式爐中，在氬氣保護下和600-800℃的條件下保溫30-60min，自然冷卻至室溫，得到碳包覆摻鑭鎂氧化亞硅粉末； 步驟三：將碳包覆摻鑭鎂氧化亞硅粉末、粘結劑、導電炭黑劑和去離子水加入混合脫泡機中攪拌15-30min，將產物干燥至恒重，制得二次氣相包覆氧化亞硅負極材料； 所述摻鑭鎂二次氣相包覆氧化亞硅粉末通過如下步驟制備： 將鑭粉、鎂粉、硅粉和二氧化硅粉混合均勻并轉移真空爐內，在1-1.2Pa的真空度和1000-1100℃的溫度下保溫2-4h，然后升溫至1400-1500℃下保溫20-24h，將產物自然冷卻至室溫，研磨，得到粒度為3-4μm的摻鑭鎂二次氣相包覆氧化亞硅粉末。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市肥西路3號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。