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龍圖騰網恭喜新磊半導體科技(蘇州)股份有限公司申請的專利一種半導體外延層抗腐蝕性標定方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119880767B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510393247.2，技術領域涉及：G01N17/00；該發明授權一種半導體外延層抗腐蝕性標定方法是由郭帥;郭永平;蔣建設計研發完成，并于2025-03-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體外延層抗腐蝕性標定方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體外延層抗腐蝕性標定方法，涉及半導體測試技術領域。該方法包括：采用HCl腐蝕液腐蝕InGaP外延層；采用顯微鏡觀察樣品表面，測量獲得圓形腐蝕圖形的尺寸隨腐蝕時間變化的數據；對數據進行線性擬合，以獲得線性函數關系；根據線性函數關系，計算獲得圖形尺寸為零時對應的腐蝕時間。本方法通過測量腐蝕液穿透AlGaAs外延層形成的腐蝕圖形尺寸隨時間變化關系，可以計算推測出AlGaAs外延層未被穿透的最長抗腐蝕時間，實現對AlGaAs外延層抗腐蝕性的標定，從而為器件工藝的制定提供了依據。

本發明授權一種半導體外延層抗腐蝕性標定方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體外延層抗腐蝕性標定方法，其特征在于，所述方法采用測試樣品來對AlGaAs外延層的抗腐蝕性進行標定，所述樣品的結構包括第一InGaP外延層、在第一InGaP外延層上的AlGaAs外延層以及在AlGaAs外延層上的第二InGaP外延層，所述方法包括： 步驟a、采用預先配制的HCl腐蝕液腐蝕第二InGaP外延層，腐蝕持續時間小于或等于基準時間段，基準時間段為采用所述HCl腐蝕液完全去除第二InGaP外延層的預期時間長度； 步驟b、采用顯微鏡觀察樣品表面以及采用HCl腐蝕液對樣品進行腐蝕兩者交替進行，在顯微鏡中觀察到圓形腐蝕圖形之后，測量獲得圓形腐蝕圖形的尺寸隨腐蝕時間變化的數據； 步驟c、對所述數據進行線性擬合，以獲得線性函數關系； 步驟d、根據線性函數關系，計算獲得圓形腐蝕圖形的尺寸為零時對應的腐蝕時間，并將該腐蝕時間作為AlGaAs外延層的抗腐蝕時間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人新磊半導體科技(蘇州)股份有限公司，其通訊地址為：215151 江蘇省蘇州市高新區建林路666號出口加工區配套工業園28號廠房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。