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龍圖騰網恭喜思特威(上海)電子科技股份有限公司申請的專利一種電源噪聲抑制電路、抑制方法及圖像傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113923385B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010664295.8，技術領域涉及：H04N25/60；該發明授權一種電源噪聲抑制電路、抑制方法及圖像傳感器是由陳鵬;李躍;侯金劍;任冠京;莫要武設計研發完成，并于2020-07-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種電源噪聲抑制電路、抑制方法及圖像傳感器在說明書摘要公布了：本發明涉及電源噪聲抑制電路、抑制方法，包括像素電路、鏡像電源噪聲電路及比較器；像素電路中疊加了供電電源的第一電源噪聲信號的圖像信號輸入比較器第一輸入端，鏡像電源噪聲電路中疊加了供電電源的第二電源噪聲信號的比較信號輸入比較器第二輸入端，第二電源噪聲信號與第一電源噪聲信號幅值相同；鏡像電源噪聲電路包括鏡像電路和增益放大電路，鏡像電路用于將供電電源的噪聲電壓轉換成補償電流，增益放大電路用于將補償電流進行增益放大后轉換成電壓，輸出該比較信號到比較器的第二輸入端。本發明通過鏡像電源噪聲電路中供電電源的電源噪聲抑制像素電路中源極跟隨晶體管的電源噪聲，能夠有效的抗電源噪聲干擾、減小圖像噪聲并提高圖像的質量。

本發明授權一種電源噪聲抑制電路、抑制方法及圖像傳感器在權利要求書中公布了：1.一種圖像傳感器噪聲抑制電路，其特征在于，所述電路包括像素電路、鏡像電源噪聲電路及比較器；所述像素電路輸出疊加了供電電源的第一電源噪聲信號的圖像信號到所述比較器的第一輸入端，所述鏡像電源噪聲電路輸出疊加了所述供電電源的第二電源噪聲信號的比較信號到所述比較器的第二輸入端，所述第二電源噪聲信號與所述第一電源噪聲信號幅值相同，以抵消所述像素電路中的噪聲；其中，所述鏡像電源噪聲電路包括鏡像電路和增益放大電路，所述鏡像電路用于將所述供電電源的噪聲電壓轉換成補償電流，所述增益放大電路用于將所述補償電流進行增益放大后轉換成電壓，以輸出疊加了所述供電電源的第二電源噪聲信號的比較信號到所述比較器的第二輸入端；所述鏡像電路包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管及第二NMOS晶體管，所述第一PMOS晶體管的源極與所述第二PMOS晶體管的源極共同連接第一電源電壓，所述第一PMOS晶體管的柵極與所述第二PMOS晶體管的柵極連接，所述第一PMOS晶體管的柵極與漏極連接，所述第一PMOS晶體管的漏極與所述第一NMOS晶體管的漏極連接，所述第二PMOS晶體管的漏極和所述第二NMOS晶體管的漏極與所述鏡像電路的輸出端連接，所述第一NMOS晶體管的柵極通過第一電容連接所述鏡像電路的第一輸入端，所述第二NMOS晶體管的柵極通過第二電容連接所述鏡像電路的第二輸入端，所述第一NMOS晶體管的源極通過第一電阻和第一電流源接地，所述第二NMOS晶體管的源極通過第二電阻和所述第一電流源接地；所述增益放大電路包括第三PMOS晶體管、第四PMOS晶體管以及可調電阻，所述第三PMOS晶體管、所述第四PMOS晶體管的源極共同連接所述第一電源電壓，所述第三PMOS晶體管的柵極、所述第四PMOS晶體管的柵極及所述第三PMOS晶體管漏極與所述鏡像電路的輸出端連接，所述第三PMOS晶體管的漏極還與第二電流源連接，所述第四PMOS晶體管的漏極與所述可調電阻第一端及所述比較器的第二輸入端連接，所述可調電阻的第二端接地。

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