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龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110177396.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F10/166；該發(fā)明授權(quán)一種高光電轉(zhuǎn)換效率的HJT電池及其制備方法是由王錦樂;肖俊峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-02-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高光電轉(zhuǎn)換效率的HJT電池及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種高光電轉(zhuǎn)換效率的HJT電池及其制備方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的HJT電池包括N型晶體硅片，所述N型晶體硅片的正面依次設(shè)置本征非晶硅層、SiO2層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜N型層、TCO導(dǎo)電層和電極；所述N型晶體硅片的背面依次設(shè)置本征非晶硅層、SiO2層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜P型層、TCO導(dǎo)電層和電極，非晶硅摻雜P型層包括輕摻B非晶硅層和重?fù)紹非晶硅層。本發(fā)明制備而成的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，光電轉(zhuǎn)換效率可提高至24.3％以上，短路電流和開路電壓提升明顯，可以有效提高硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

本發(fā)明授權(quán)一種高光電轉(zhuǎn)換效率的HJT電池及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高光電轉(zhuǎn)換效率的HJT電池，包括N型晶體硅片1，其特征在于：所述N型晶體硅片1的正面依次設(shè)置本征非晶硅層301、SiO2層302、C摻雜SiO2層303、非晶硅摻雜N型層、TCO導(dǎo)電層7和電極9；所述N型晶體硅片1的背面依次設(shè)置本征非晶硅層201、SiO2層202、C摻雜SiO2層203、非晶硅摻雜P型層、TCO導(dǎo)電層6和電極8；非晶硅摻雜N型層包括輕摻P非晶硅層501和重?fù)絇非晶硅層502，輕摻P非晶硅層501靠近C摻雜SiO2層303，重?fù)絇非晶硅層502靠近TCO導(dǎo)電層7；非晶硅摻雜P型層包括輕摻B非晶硅層401和重?fù)紹非晶硅層402，輕摻B非晶硅層401靠近C摻雜SiO2層203，重?fù)紹非晶硅層402靠近TCO導(dǎo)電層6。

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