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龍圖騰網恭喜力晶積成電子制造股份有限公司申請的專利可控硅整流器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050734B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110253917.2，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權可控硅整流器是由劉俊杰;宋文強;何青松設計研發完成，并于2021-03-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本可控硅整流器在說明書摘要公布了：本發明提供一種可控硅整流器包括：第一導電型的襯底、第二導電型的深阱區、第一導電型的阱區、第二導電型的阱區、第一導電型的第一、第二與第三重摻雜有源區、第二導電型的第一、第二與第三重摻雜有源區以及第一、第二與第三淺溝槽隔離結構。通過在第一導電型的阱區中嵌入了一個由第二導電型的第三重摻雜有源區與第一導電型的阱區構成的反向二極管，并在第一導電型的第一重摻雜有源區與第二導電型的阱區形成一個正向二極管。通過共用跨接不同導電型的阱區的第二導電型的第三重摻雜有源區，形成了兩個背靠背的二極管。因此ESD電流可從表面二極管構成的電路泄放，以提高器件的維持電壓并減少放電電流路徑長度。

本發明授權可控硅整流器在權利要求書中公布了：1.一種可控硅整流器，其特征在于，包括：第一導電型的襯底；第二導電型的深阱區，形成在所述襯底內；第一導電型的阱區以及第二導電型的阱區，并列形成在所述深阱區內；第二導電型的第一重摻雜有源區以及第一導電型的第一重摻雜有源區，設置在所述第二導電型的阱區內，所述第二導電型的第一重摻雜有源區以及所述第一導電型的第一重摻雜有源區均與陽極相連，且兩者之間設置有第一淺溝槽隔離結構；第二導電型的第二重摻雜有源區以及第一導電型的第二重摻雜有源區，設置在所述第一導電型的阱區內，所述第二導電型的第二重摻雜有源區以及所述第一導電型的第二重摻雜有源區均與陰極相連，且兩者之間設置有第二淺溝槽隔離結構；第二導電型的第三重摻雜有源區，跨接所述第一導電型的阱區以及所述第二導電型的阱區，其中所述第二導電型的第三重摻雜有源區與所述第一導電型的第一重摻雜有源區間隔一第一距離，且所述第一導電型的第一重摻雜有源區與所述第二導電型的阱區形成一正向二極管；第一導電型的第三重摻雜有源區，設置在所述第二導電型的第二重摻雜有源區以及所述第二導電型的第三重摻雜有源區之間的所述第一導電型的阱區內，其中所述第二導電型的第二重摻雜有源區與所述第一導電型的第三重摻雜有源區之間設置有第三淺溝槽隔離結構，所述第二導電型的第三重摻雜有源區與所述第一導電型的第三重摻雜有源區間隔一第二距離，且所述第二導電型的第三重摻雜有源區與所述第一導電型的阱區形成一反向二極管；第一柵極，形成在所述第一導電型的第一重摻雜有源區以及所述第二導電型的第三重摻雜有源區之間的所述襯底上；以及第二柵極，形成在所述第一導電型的第三重摻雜有源區以及所述第二導電型的第三重摻雜有源區之間的所述襯底上，其中所述第一柵極、所述第二柵極與所述第二導電型的第三重摻雜有源區電連接。

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