恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司林頌恩獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利間隙填充結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113571473B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110514306.9，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權間隙填充結構及其制造方法是由林頌恩;徐志安;廖芳誼;王俊堯;盧永誠設計研發完成，并于2021-05-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本間隙填充結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及間隙填充結構及其制造方法。一種方法包括圖案化溝槽，并且使用共形沉積工藝沿著溝槽的側壁和底表面沉積第一絕緣材料。沉積第一絕緣材料包括在第一絕緣材料的在溝槽的第一側壁上的第一部分與第一絕緣材料的在溝槽的第二側壁上的第二部分之間形成第一接縫。該方法還包括將第一絕緣材料蝕刻至低于溝槽的頂部，并且使用共形沉積工藝在第一絕緣材料之上以及溝槽中沉積第二絕緣材料。沉積第二絕緣材料包括在第二絕緣材料的在溝槽的第一側壁上的第一部分與第二絕緣材料的在溝槽的第二側壁上的第二部分之間形成第二接縫。
本發明授權間隙填充結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體器件的方法，包括：圖案化溝槽；使用共形沉積工藝沿著所述溝槽的側壁和底表面沉積第一絕緣材料，其中，沉積所述第一絕緣材料包括在所述第一絕緣材料的在所述溝槽的第一側壁上的第一部分與所述第一絕緣材料的在所述溝槽的第二側壁上的第二部分之間形成第一接縫；將所述第一絕緣材料蝕刻至低于所述溝槽的頂部，其中，蝕刻所述第一絕緣材料包括去除所述第一接縫；使用共形沉積工藝在所述第一絕緣材料之上以及所述溝槽中沉積第二絕緣材料，其中，沉積所述第二絕緣材料包括在所述第二絕緣材料的在所述溝槽的第一側壁上的第一部分與所述第二絕緣材料的在所述溝槽的第二側壁上的第二部分之間形成第二接縫；以及將所述第二絕緣材料蝕刻至低于所述溝槽的頂部，其中，蝕刻所述第二絕緣材料包括去除所述第二接縫。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號