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龍圖騰網(wǎng)恭喜江蘇魯汶儀器股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種等離子腔體清洗組件、等離子體處理系統(tǒng)及清洗方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115513021B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202110630132.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)一種等離子腔體清洗組件、等離子體處理系統(tǒng)及清洗方法是由李雪冬;劉小波;劉海洋;朱小慶;許開(kāi)東;陳璐設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種等離子腔體清洗組件、等離子體處理系統(tǒng)及清洗方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明屬于刻蝕工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種等離子腔體清洗組件、等離子體處理系統(tǒng)及清洗方法，其中：等離子腔體清洗組件包括第一金屬電極組、第二金屬電極組以及絕緣介質(zhì)層，第一金屬電極組與第二金屬電極組相對(duì)設(shè)置，絕緣介質(zhì)層設(shè)置于第一金屬電極組與第二金屬電極組之間；等離子腔體清洗組件用于清洗經(jīng)過(guò)刻蝕或鍍膜工藝后在腔室內(nèi)襯內(nèi)壁上堆積的沉積物。具有等離子腔體清洗組件的等離子體處理系統(tǒng)，向等離子腔體清洗組件引入射頻功率，從而使得等離子氣體直接撞擊在腔室側(cè)壁進(jìn)行清洗；一種等離子體處理系統(tǒng)的清洗方法，有效去除腔室側(cè)壁上的沉積，從而減少設(shè)備的維護(hù)時(shí)間和成本，提高設(shè)備的工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性。

本發(fā)明授權(quán)一種等離子腔體清洗組件、等離子體處理系統(tǒng)及清洗方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種等離子腔體的清洗組件，其特征在于：所述等離子腔體的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有所述清洗組件（9），所述清洗組件（9）包括：第一金屬電極組（10）、第二金屬電極組（13）以及絕緣介質(zhì)層（8），其中：所述第一金屬電極組（10）包括若干第一金屬電極片（11）和第一電極連接部（12），所述第二金屬電極組（13）包括若干第二金屬電極片（14）和第二電極連接部（15）；以所述等離子腔體的軸向方向?yàn)樾D(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)軸，若干所述第一金屬電極片（11）和若干所述第二金屬電極片（14）交叉周向排列，且若干所述第一金屬電極片（11）和若干所述第二金屬電極片（14）共同圍設(shè)成與所述等離子腔體周壁隨形的結(jié)構(gòu)；若干所述第一金屬電極片（11）的頂端均與所述第一電極連接部（12）連接，若干所述第一金屬電極片（11）的底端均為自由端；若干所述第二金屬電極片（14）的底端均與所述第二電極連接部（15）連接，若干所述第二金屬電極片（14）的頂端均為自由端；所述第一金屬電極組（10）與所述第二金屬電極組（13）之間夾設(shè)有所述絕緣介質(zhì)層（8）。

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