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龍圖騰網(wǎng)恭喜ASM IP私人控股有限公司;根特大學(xué)申請的專利通過循環(huán)沉積工藝在襯底上沉積含釕膜的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116732497B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310530441.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/455；該發(fā)明授權(quán)通過循環(huán)沉積工藝在襯底上沉積含釕膜的方法是由M·明喬夫;J·登多文;C·德塔韋尼爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-02-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本通過循環(huán)沉積工藝在襯底上沉積含釕膜的方法在說明書摘要公布了：公開了一種通過循環(huán)沉積工藝在襯底上沉積含釕膜的方法。所述方法可以包含：使所述襯底與包括金屬有機(jī)前體的第一氣相反應(yīng)物接觸，所述金屬有機(jī)前體包括選自由以下組成的群組的金屬：鉑、鋁、鈦、鉍、鋅和其組合。所述方法還可以包含：使所述襯底與包括四氧化釕的第二氣相反應(yīng)物接觸，其中所述含釕膜包括釕?鉑合金或三元氧化釕中的至少一種。還公開了包含通過本發(fā)明的方法沉積的含釕膜的裝置結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)通過循環(huán)沉積工藝在襯底上沉積含釕膜的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種通過循環(huán)沉積工藝在襯底上沉積含釕膜的方法，所述方法的每個循環(huán)包括： 使所述襯底與包括金屬有機(jī)前體的第一氣相反應(yīng)物接觸，所述金屬有機(jī)前體包括選自從鉑、鈀、鋁、鈦、鉍、鋅及其組合構(gòu)成的組的金屬； 在將襯底與所述第一氣相反應(yīng)物接觸之后，將所述襯底與包括額外有機(jī)前體的第四氣相反應(yīng)物接觸，其中所述額外有機(jī)前體包括具有通式OHC-R4CHO的醛，其中R4是直鏈或支鏈C1-C20飽和或不飽和的； 在將襯底與額外有機(jī)前體接觸之后，使所述襯底與包括四氧化釕的第二氣相反應(yīng)物接觸， 其中所述含釕膜包括釕-鉑合金、釕-鈀合金或三元氧化釕中的至少一種。

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