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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利改善溝槽產品柵極填充的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496757B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210022070.1，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權改善溝槽產品柵極填充的方法是由趙伯寧;沈浩峰;楊毓龍;陳兆軒設計研發完成，并于2022-01-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本改善溝槽產品柵極填充的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種改善溝槽產品柵極填充的方法，提供襯底，襯底覆蓋有硬質掩膜層；對刻蝕硬質掩膜層和襯底均進行第一刻蝕，在襯底上形成第一直溝槽，在硬質掩膜層形成第二直溝槽，在襯底上形成與第一二直溝槽貫通的寬度相等的第二一直溝槽，第一、第二直溝槽的寬度為第一寬度；對繼續刻蝕硬質掩膜層進行第二刻蝕，使得第二直溝槽的寬度增大至第二寬度，其下方的襯底裸露；對刻蝕裸露出的襯底進行第三刻蝕，在襯底上形成第三溝槽使得第二直溝槽上方的寬度增大為，第三溝槽為第三寬度；將硬質掩膜層全部去除；在淀積溝槽以淀積形成柵極。本發明將硬質掩膜層部分刻蝕后會形成開口處略寬的直溝槽，柵極時不會提前收口，從而在柵極填充階段不會出現裂縫。

本發明授權改善溝槽產品柵極填充的方法在權利要求書中公布了：1.一種改善溝槽產品柵極填充的方法，其特征在于，至少包括：步驟一、提供襯底，所述襯底覆蓋有硬質掩膜層；步驟二、刻蝕所述硬質掩膜層和所述襯底，在所述硬質掩膜層形成第二直溝槽，在所述襯底上形成與所述第二直溝槽貫通的第一直溝槽，所述第一、第二直溝槽的寬度為第一寬度；步驟三、繼續刻蝕所述硬質掩膜層，使得所述第二直溝槽的寬度增大至第二寬度，所述第二寬度與所述第一寬度的比值為1.05至1.15，其下方的所述襯底裸露；步驟四、刻蝕裸露出的所述襯底，使得所述第二直溝槽上方的寬度增大為第三寬度，所述第三寬度與所述第一寬度的比值為1.1至1.5；步驟五、將所述硬質掩膜層全部去除；步驟六、淀積所述溝槽以形成柵極。

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