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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請的專利分柵快閃存儲單元及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114388628B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210038391.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/68；該發(fā)明授權(quán)分柵快閃存儲單元及其制備方法是由王旭峰;于濤;李冰寒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本分柵快閃存儲單元及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種分柵快閃存儲單元及其制備方法，包括：襯底；溝槽，位于所述襯底內(nèi)；源區(qū)，位于所述溝槽底部的所述襯底內(nèi)；源線層，位于所述溝槽內(nèi)以與所述源區(qū)電性連接，且將所述溝槽分隔為兩個(gè)子溝槽；第一分柵結(jié)構(gòu)和第二分柵結(jié)構(gòu)，均包括由下至上排列的浮柵和控制柵，所述第一分柵結(jié)構(gòu)的浮柵和所述第二分柵結(jié)構(gòu)的浮柵分別填充兩個(gè)所述子溝槽并延伸覆蓋所述襯底的部分表面，且所述浮柵的頂部高于所述源線層；擦除柵，位于所述源線層上；本發(fā)明利于分柵快閃存儲單元的尺寸縮減。

本發(fā)明授權(quán)分柵快閃存儲單元及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種分柵快閃存儲單元，其特征在于，包括：襯底；溝槽，位于所述襯底內(nèi)；源區(qū)，位于所述溝槽底部的所述襯底內(nèi)；源線層，位于所述溝槽內(nèi)以與所述源區(qū)電性連接，且將所述溝槽分隔為兩個(gè)子溝槽；第一分柵結(jié)構(gòu)和第二分柵結(jié)構(gòu)，均包括介質(zhì)層、由下至上排列的浮柵和控制柵，所述第一分柵結(jié)構(gòu)的浮柵和所述第二分柵結(jié)構(gòu)的浮柵分別填充兩個(gè)所述子溝槽并延伸覆蓋所述襯底的部分表面，且所述浮柵的頂部高于所述源線層，所述介質(zhì)層包裹所述浮柵及所述控制柵的外壁，其中所述介質(zhì)層包括第一側(cè)墻和第二側(cè)墻，所述第一側(cè)墻位于對應(yīng)的所述控制柵上，所述第二側(cè)墻覆蓋對應(yīng)的所述第一側(cè)墻及所述控制柵靠近擦除柵的一側(cè)；擦除柵，位于所述源線層上。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祖沖之路1399號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。