恭喜北京理工大學重慶微電子研究院焦文龍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京理工大學重慶微電子研究院申請的專利壓電驅動結構、壓電微鏡和壓電微鏡制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114583043B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210150504.6，技術領域涉及：H10N30/20；該發明授權壓電驅動結構、壓電微鏡和壓電微鏡制備方法是由焦文龍;嚴陽陽;楊芋;彭文;謝會開設計研發完成，并于2022-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本壓電驅動結構、壓電微鏡和壓電微鏡制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了壓電驅動結構、壓電微鏡和壓電微鏡制備方法，所述壓電驅動結構包括壓電層、壓電層上方連續的上電極和壓電層下方連續的下電極，所述上電極上方一端設置有上介質層，所述下電極下方設置有下介質層，所述上介質層和所述下介質層長度小于所述壓電層，在所述壓電層所處的水平面上所述上介質層和所述下介質層在水平方向不完全重合。本發明針對無側向位移和轉角的壓電Bimorph驅動結構存在的驅動電路復雜，引線繁瑣、驅動效率低等問題，提出新的簡化結構和制備方案，該方案中Bimorph驅動結構無需設置專門的引線。
本發明授權壓電驅動結構、壓電微鏡和壓電微鏡制備方法在權利要求書中公布了：1.一種壓電驅動結構，其特征在于，所述壓電驅動結構包括壓電層、壓電層上方連續的上電極和壓電層下方連續的下電極，所述上電極上方一端設置有上介質層，所述下電極下方設置有下介質層，所述上介質層和所述下介質層長度小于所述壓電層，在所述壓電層所處的水平面上所述上介質層和所述下介質層在水平方向不完全重合，其中，所述壓電層在電場的作用下產生橫向的伸縮，所述上介質層靠近所述壓電層中點的一端和所述下介質層靠近所述壓電層中點的一端存在部分重合。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京理工大學重慶微電子研究院，其通訊地址為：400000 重慶市沙坪壩區西永微電園研發樓3期1號樓2單元；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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