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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請(qǐng)的專利嵌入式SONOS存儲(chǔ)器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114464537B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210149663.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)嵌入式SONOS存儲(chǔ)器及其制備方法是由王寧;張可鋼設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本嵌入式SONOS存儲(chǔ)器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種嵌入式SONOS存儲(chǔ)器及其制備方法，其中方法包括：在所述選擇管多晶硅柵一側(cè)形成連接層；在遠(yuǎn)離所述連接層的所述選擇管多晶硅柵的另一側(cè)形成第二氧化硅層和ONO電荷存儲(chǔ)層；接著在遠(yuǎn)離所述連接層的所述第二氧化硅層的側(cè)面形成存儲(chǔ)管多晶硅柵，從而得到背靠背結(jié)構(gòu)的所述選擇管多晶硅柵和所述存儲(chǔ)管多晶硅柵。本申請(qǐng)通過形成背靠背結(jié)構(gòu)的所述選擇管多晶硅柵和所述存儲(chǔ)管多晶硅柵，比傳統(tǒng)的兩管分離的SONOS器件節(jié)省芯片設(shè)計(jì)面積。進(jìn)一步的，本申請(qǐng)利用所述連接層，可以將所述選擇管多晶硅柵的柵極與襯底中其對(duì)應(yīng)的源端共接，后續(xù)可以共接至同一選擇管字線，從而使得外接電路的設(shè)計(jì)可以更加簡潔。

本發(fā)明授權(quán)嵌入式SONOS存儲(chǔ)器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種嵌入式SONOS存儲(chǔ)器的制備方法，其特征在于，包括：提供一襯底，所述襯底上形成有第一氧化硅層和第一氮化硅層，所述第一氮化硅層中形成有第一溝槽，在所述第一溝槽中形成有覆蓋所述第一氮化硅層的側(cè)表面的兩個(gè)相對(duì)的選擇管多晶硅柵；刻蝕所述第一溝槽的底壁的所述第一氧化硅層至所述襯底的表面；刻蝕所述第一溝槽底壁的部分厚度的所述襯底以得到第二溝槽，并在所述第二溝槽中形成兩個(gè)連接層，所述連接層接觸所述第二溝槽底壁的所述襯底且分別覆蓋一所述選擇管多晶硅柵；形成隔離氧化層，所述隔離氧化層填充所述第二溝槽，其中，各所述連接層底部的襯底表面形成有各自對(duì)應(yīng)的源區(qū)，其中，通過所述連接層，各所述選擇管多晶硅柵與各所述連接層底部的所述源區(qū)電性連接；去除所述選擇管多晶硅柵側(cè)的所述第一氮化硅層和所述第一氧化硅層；形成第二氧化硅層，所述第二氧化硅層覆蓋所述選擇管多晶硅柵的側(cè)表面；形成ONO材料層，所述ONO材料層覆蓋所述隔離氧化層、所述第二氧化硅層和所述襯底的部分表面；形成第一多晶硅材料層，所述第一多晶硅材料層覆蓋所述ONO材料層；刻蝕所述隔離氧化層上方的所述第一多晶硅材料層和所述ONO材料層以及部分所述襯底上的所述第一多晶硅材料層和所述ONO材料層以在所述第二氧化硅層側(cè)得到ONO電荷存儲(chǔ)層和存儲(chǔ)管多晶硅柵；以及，在遠(yuǎn)離所述存儲(chǔ)管多晶硅柵的所述襯底表面形成堆疊的邏輯氧化層和邏輯多晶硅柵。

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