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龍圖騰網(wǎng)恭喜京東方華燦光電(浙江)有限公司申請的專利反極性紅光發(fā)光二極管芯片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114824000B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210270336.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/812；該發(fā)明授權(quán)反極性紅光發(fā)光二極管芯片及其制備方法是由肖和平;朱迪;王瑞瑞;呂子如;胡根水設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-03-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本反極性紅光發(fā)光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種反極性紅光發(fā)光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該反極性紅光發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的襯底、第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層、歐姆接觸層和透明導(dǎo)電層，所述歐姆接觸層和透明導(dǎo)電層之間形成歐姆接觸，所述歐姆接觸層遠(yuǎn)離所述第二半導(dǎo)體層的表面經(jīng)過粗化處理，所述透明導(dǎo)電層的厚度不小于所述歐姆接觸層的粗化深度。本公開實施例能提升芯片的光提取效果，且降低制作成本。

本發(fā)明授權(quán)反極性紅光發(fā)光二極管芯片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種反極性紅光發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述反極性紅光發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的襯底11、第一半導(dǎo)體層21、發(fā)光層22、第二半導(dǎo)體層23、歐姆接觸層32和透明導(dǎo)電層31，所述歐姆接觸層32和透明導(dǎo)電層31之間形成歐姆接觸，所述歐姆接觸層32遠(yuǎn)離所述第二半導(dǎo)體層23的表面經(jīng)過粗化處理，所述透明導(dǎo)電層31的厚度不小于所述歐姆接觸層32的粗化深度；所述歐姆接觸層32為n型AlGaInP層，所述第二半導(dǎo)體層23包括依次層疊在所述發(fā)光層22上的n型AlGaInP電流擴展層231和n型AlGaInP粗化層232，所述n型AlGaInP粗化層232的Al組分含量大于所述n型AlGaInP層的Al組分含量，所述n型AlGaInP粗化層232的Al組分含量大于所述n型AlGaInP電流擴展層231的Al組分含量。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人京東方華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。