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龍圖騰網(wǎng)恭喜湘能華磊光電股份有限公司申請(qǐng)的專利LED外延片制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114823995B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210313652.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)LED外延片制作方法是由徐平;周孝維;許孔祥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本LED外延片制作方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)公開了一種LED外延片制作方法，依次包括：處理襯底、生長(zhǎng)低溫GaN緩沖層、生長(zhǎng)非摻雜GaN層、生長(zhǎng)摻雜Si的n型GaN層、制作載流子過渡層、生長(zhǎng)多量子阱層、生長(zhǎng)AlGaN電子阻擋層、生長(zhǎng)摻雜Mg的P型GaN層，降溫冷卻，其中制作載流子過渡層依次包括進(jìn)行濺射氧化鉬層、臭氧處理以及制作氮原子層的步驟。本發(fā)明通過采用新的制作方法來提升量子阱的晶體質(zhì)量，從而提高LED的發(fā)光效率。

本發(fā)明授權(quán)LED外延片制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種LED外延片制作方法，依次包括：處理襯底、生長(zhǎng)低溫GaN緩沖層、生長(zhǎng)非摻雜GaN層、生長(zhǎng)摻雜Si的n型GaN層、制作載流子過渡層、生長(zhǎng)多量子阱層、生長(zhǎng)AlGaN電子阻擋層、生長(zhǎng)摻雜Mg的P型GaN層和降溫冷卻；其特征在于，其中制作載流子過渡層依次包括：濺射氧化鉬層、臭氧處理和制作氮原子層，具體步驟為：A、控制磁控濺射設(shè)備反應(yīng)腔溫度為250-400℃，反應(yīng)腔壓力為5-18Torr，向反應(yīng)腔室通入氬氣和氧氣，在摻雜Si的n型GaN層上濺射厚度為12-25nm的氧化鉬層，濺射過程中控制設(shè)備濺射功率先從400w漸變?cè)黾又?00w，再從900w漸變減少至600w；B、將濺射有氧化鉬層的外延片從磁控濺射設(shè)備反應(yīng)腔取出置入等離子體設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)，向反應(yīng)腔室通入150-250sccm的臭氧對(duì)氧化鉬膜層處理2-4min，處理過程中控制溫度從200℃漸變?cè)黾又?00℃；C、控制等離子體設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)溫度為100-300℃，功率為40-120w，采用周期性中斷氮?dú)庠吹姆绞较蚍磻?yīng)腔室通入氮?dú)猓ㄟ^等離子體處理在氧化鉬層上形成氮原子層，形成過程中氮?dú)庵袛嗪屯ㄈ敕磻?yīng)腔的時(shí)間分別是4s和8s。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人湘能華磊光電股份有限公司，其通訊地址為：423038 湖南省郴州市白露塘有色金屬產(chǎn)業(yè)園；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。