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龍圖騰網恭喜富士電機株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112470288B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980049420.X，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權半導體裝置是由櫻井洋輔;野口晴司;安喰徹設計研發完成，并于2019-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：在半導體裝置中，優選雪崩耐量高。提供一種半導體裝置，具備：半導體基板；晶體管部，其在與半導體基板的上表面接觸的區域具有發射區；二極管部，其在與半導體基板的下表面接觸的區域具有陰極區并且在除陰極區以外的區域具有第二導電型的重疊區，并且在半導體基板的上表面在預定的排列方向上與晶體管部并列地配置；以及層間絕緣膜，其設置于半導體基板與發射電極之間并設置有用于將發射電極與二極管部連接的接觸孔，重疊區以第一長度設置在發射區的端部與陰極區的端部之間，重疊區以第二長度設置在接觸孔的端部與陰極區的端部之間，第一長度大于第二長度。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：半導體基板，其具有第一導電型的漂移區；晶體管部，其在與所述半導體基板的上表面接觸的區域具有摻雜濃度高于所述漂移區的摻雜濃度的第一導電型的發射區；二極管部，其在與所述半導體基板的下表面接觸的區域具有摻雜濃度高于所述漂移區的摻雜濃度的第一導電型的陰極區并且在除所述陰極區以外的區域具有第二導電型的重疊區，并且，在所述半導體基板的上表面在預定的排列方向上與所述晶體管部并列地配置；發射電極，其配置于所述半導體基板的上方；以及層間絕緣膜，其設置于所述半導體基板與所述發射電極之間，并設置有用于將所述發射電極與所述二極管部連接的接觸孔，在所述排列方向上，所述陰極區設置在比所述發射區的端部更靠近所述二極管部的中心側的位置，所述重疊區以第一長度設置在所述發射區的端部與所述陰極區的端部之間，在與所述排列方向正交的延伸方向上，所述陰極區設置在比所述接觸孔的端部更靠近所述二極管部的中心側的位置，所述重疊區以第二長度設置在所述接觸孔的端部與所述陰極區的端部之間，所述第一長度是所述第二長度的5倍以上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人富士電機株式會社，其通訊地址為：日本神奈川縣川崎市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。