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龍圖騰網(wǎng)恭喜清華大學申請的專利一種垂直亞1nm柵長場效應晶體管及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119653820B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-03發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510163404.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)一種垂直亞1nm柵長場效應晶體管及制備方法是由田禾;劉晏銘設計研發(fā)完成，并于2025-02-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種垂直亞1nm柵長場效應晶體管及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及晶體管制備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種垂直亞1nm柵長場效應晶體管及制備方法，包括：臺階基底、石墨烯柵、低介電常數(shù)介質(zhì)層、高介電常數(shù)介質(zhì)層、二維薄膜溝道和接觸金屬；所述臺階基底具有臺階結(jié)構(gòu)，通過所述臺階基底作為石墨烯柵的支撐層，使得石墨烯柵中的石墨烯附著在臺階基底的側(cè)壁上；所述低介電常數(shù)介質(zhì)層作為回填臺階與臺階基底的臺階結(jié)構(gòu)相嚙合填充臺階基底的臺階結(jié)構(gòu)；所述高介電常數(shù)介質(zhì)層作為柵介質(zhì)層設置在低介電常數(shù)介質(zhì)層頂部；所述二維薄膜溝道設置在所述高介電常數(shù)介質(zhì)層頂部，所述接觸金屬設置在所述二維薄膜溝道上，與二維薄膜溝道形成電氣連接。本發(fā)明創(chuàng)新性地提出了如何制備垂直的1納米以下柵長的單柵、多柵晶體管。

本發(fā)明授權(quán)一種垂直亞1nm柵長場效應晶體管及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種垂直亞1nm柵長場效應晶體管制備方法，用于制備垂直亞1nm柵長場效應晶體管，其特征在于，包括：通過硅深刻蝕設備刻蝕出臺階基底；通過熱氧化設備在臺階結(jié)構(gòu)表面生成初始二氧化硅層；采用緩沖氧化蝕刻劑去除初始二氧化硅層，獲得光滑的硅表面；在硅表面通過電感耦合等離子體增強化學氣相沉積設備，生成第一二氧化硅層，其中第一二氧化硅層為基底二氧化硅層；通過濕法轉(zhuǎn)移將石墨烯轉(zhuǎn)移至具有二氧化硅層的臺階基底側(cè)壁上并圖形化；通過光刻完成石墨烯接觸金屬的沉積，并通過角度沉積在石墨烯表面生成種子層，在種子層表面通過電感耦合等離子體增強化學氣相沉積設備生成第二二氧化硅層；在第一二氧化硅層與第二二氧化硅層的交接處下方通過化學機械拋光的方式進行研磨得到豎直石墨烯以及平整的晶圓界面；在豎直石墨烯的上方晶圓表面生成高介電常數(shù)介質(zhì)層，在高介電常數(shù)介質(zhì)層頂部構(gòu)建二維薄膜溝道；在二維薄膜溝道上沉積二維材料的接觸金屬，完成晶體管的制備。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人清華大學，其通訊地址為：100084 北京市海淀區(qū)清華園；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。