恭喜英特爾公司R·米恩德魯獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜英特爾公司申請的專利用于提升NMOS晶體管中的溝道應力的器件、方法和系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111095529B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201780094370.8，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權用于提升NMOS晶體管中的溝道應力的器件、方法和系統是由R·米恩德魯;A·默西;K·賈姆布納坦;C·邦伯格設計研發完成，并于2017-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于提升NMOS晶體管中的溝道應力的器件、方法和系統在說明書摘要公布了：用于在NMOS晶體管的溝道區上施加應力的技術和機制。在實施例中，半導體襯底上的鰭狀物結構包括晶體管的兩個源極區或漏極區，其中，晶體管的溝道區位于源極區或漏極區之間。至少在這種源極區或漏極區上包括摻雜的硅鍺SiGe化合物，其中，SiGe化合物中的位錯導致至少一個源極區或漏極區在溝道區上施加拉應力。在另一實施例中，晶體管的源極區或漏極區均包括包含至少50wt％的鍺的SiGe化合物。
本發明授權用于提升NMOS晶體管中的溝道應力的器件、方法和系統在權利要求書中公布了：1.一種用于傳送信號的集成電路IC器件，所述集成電路器件包括：緩沖層；設置在所述緩沖層上的鰭狀物結構，所述鰭狀物結構包括：第一NMOS晶體管的第一源極區或漏極區；所述第一NMOS晶體管的第一溝道區，所述第一溝道區與所述第一源極區或漏極區相鄰，其中，拉應力利用所述第一源極區或漏極區的硅鍺SiGe中的位錯和所述緩沖層而施加在所述第一溝道區上，其中，所述第一NMOS晶體管的所述第一源極區或漏極區的所述硅鍺包括至少50％的鍺；第二NMOS晶體管的第二源極漏極區；以及所述第二NMOS晶體管的第二溝道區，所述第二溝道區與所述第二源極漏極區相鄰，其中，拉應力利用所述第二源極漏極區的SiGe中的位錯和所述緩沖層而施加在所述第二溝道區上；以及所述第一NMOS晶體管的柵極結構，其中，所述柵極結構在所述鰭狀物結構之上延伸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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