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龍圖騰網(wǎng)恭喜感覺(jué)光子公司申請(qǐng)的專利包括高靈敏度光子混合結(jié)構(gòu)的高量子效率蓋革模式雪崩二極管及其陣列獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113169243B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980079997.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/225；該發(fā)明授權(quán)包括高靈敏度光子混合結(jié)構(gòu)的高量子效率蓋革模式雪崩二極管及其陣列是由豪德·芬克爾斯坦設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-10-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本包括高靈敏度光子混合結(jié)構(gòu)的高量子效率蓋革模式雪崩二極管及其陣列在說(shuō)明書摘要公布了：一種光電探測(cè)器器件包括半導(dǎo)體材料層以及半導(dǎo)體材料層中的至少一個(gè)光電二極管。該至少一個(gè)光電二極管被配置為被偏置超過(guò)至少一個(gè)光電二極管的擊穿電壓，以響應(yīng)于檢測(cè)到入射光子而生成相應(yīng)的電信號(hào)。相應(yīng)的電信號(hào)獨(dú)立于入射光子的光功率。紋理區(qū)耦接至半導(dǎo)體材料層并且紋理區(qū)包括光學(xué)結(jié)構(gòu)，該光學(xué)結(jié)構(gòu)被定位成在由至少一個(gè)光電二極管檢測(cè)入射光子時(shí)與入射光子相互作用。兩個(gè)或更多個(gè)光電二極管可以限定光電探測(cè)器器件的像素，且光學(xué)結(jié)構(gòu)可以被配置為將入射光子引導(dǎo)至像素的兩個(gè)或更多個(gè)光電二極管中的任一個(gè)光電二極管。

本發(fā)明授權(quán)包括高靈敏度光子混合結(jié)構(gòu)的高量子效率蓋革模式雪崩二極管及其陣列在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光電探測(cè)器器件，包括：半導(dǎo)體材料層；所述半導(dǎo)體材料層中的至少一個(gè)光電二極管，所述至少一個(gè)光電二極管被配置為被反向偏置超過(guò)所述至少一個(gè)光電二極管的半導(dǎo)體結(jié)的擊穿電壓，以響應(yīng)于檢測(cè)到入射光子而生成相應(yīng)的電信號(hào)，其中，所述相應(yīng)的電信號(hào)獨(dú)立于所述入射光子的光功率；以及紋理區(qū)，所述紋理區(qū)耦接至所述半導(dǎo)體材料層，并且所述紋理區(qū)包括光學(xué)結(jié)構(gòu)，所述光學(xué)結(jié)構(gòu)被定位成在由所述至少一個(gè)光電二極管檢測(cè)所述入射光子時(shí)與所述入射光子相互作用，以及所述光學(xué)結(jié)構(gòu)被配置為與所述入射光子直接從所述半導(dǎo)體材料層的、其上入射所述入射光子的表面行進(jìn)到所述至少一個(gè)光電二極管的距離相比，增加在由所述至少一個(gè)光電二極管檢測(cè)所述入射光子之前所述入射光子在所述半導(dǎo)體材料層中的光學(xué)路徑長(zhǎng)度。

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