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龍圖騰網恭喜蘇州晶湛半導體有限公司申請的專利肖特基二極管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130666B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010026493.1，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權肖特基二極管及其制造方法是由程凱設計研發完成，并于2020-01-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本肖特基二極管及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請是關于一種肖特基二極管及其制造方法。肖特基二極管包括氮化物溝道層；氮化物勢壘層，氮化物勢壘層形成于氮化物溝道層上；氮化物冒層，氮化物冒層形成于氮化物勢壘層上，氮化物冒層包括激活區域和非激活區域；鈍化層，鈍化層形成于位于氮化物冒層上，鈍化層包括第一凹槽，第一凹槽貫穿鈍化層并暴露氮化物冒層，第一凹槽對應于激活區域；介質層，介質層位于鈍化層上以及第一凹槽的內壁上，且介質層圍成第二凹槽，介質層包括第三凹槽，第三凹槽貫穿介質層并暴露氮化物冒層上的部分激活區域；陽極層，陽極層形成在第二凹槽和第三凹槽內，陽極層與激活區域接觸。

本發明授權肖特基二極管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括：氮化物溝道層；氮化物勢壘層，所述氮化物勢壘層形成于所述氮化物溝道層上；氮化物冒層，所述氮化物冒層形成于所述氮化物勢壘層上，所述氮化物冒層包括激活區域和非激活區域；鈍化層，所述鈍化層形成于所述氮化物冒層上，所述鈍化層包括第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述鈍化層并暴露所述氮化物冒層，所述第一凹槽對應于所述激活區域；介質層，所述介質層位于所述鈍化層上以及所述第一凹槽的內壁上，且所述介質層圍成第二凹槽，所述介質層包括第三凹槽，所述第三凹槽貫穿所述介質層并暴露所述氮化物冒層上的部分激活區域；陽極層，所述陽極層形成在所述第二凹槽和所述第三凹槽內，所述陽極層與所述激活區域接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州晶湛半導體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號西北區20幢517-A室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。