恭喜上海安微電子有限公司楊朔獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海安微電子有限公司申請的專利一種超低壓降肖特基二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111261725B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010219339.6，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權一種超低壓降肖特基二極管及其制備方法是由楊朔設計研發完成，并于2020-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種超低壓降肖特基二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明的主要目的為提供一種新型的超低壓降肖特基二極管及其制備方法，此二極管在高濃度的襯底片上表面先光刻腐蝕多條溝槽，然后外延生長低濃度層，在上表面和溝槽處形成金屬勢壘和正面金屬電極，在背面形成背電極。如圖結構：10為背面電極；20為高濃度襯底，在其上面刻蝕出多個一定深度的槽，槽可以是條形，也可以是方形或多邊形等；30為外延方式生長的低濃度層，厚度和濃度根據器件所設計的電壓，反向漏電流等決定；40為勢壘層；50為邊緣絕緣層；60為上電極金屬層。多槽結構增大了勢壘區的表面積，極大地增加了單位芯片的電流，在同等芯片面積情況下，正向導通電流極大地增加，同等電流下，正向壓降大幅降低，達到了超低正向的效果。
本發明授權一種超低壓降肖特基二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種超低壓降肖特基二極管，其特征在于，其結構包括：刻有多個槽的高濃度襯底、在上表面和槽底部和側面外延生長的低濃度外延層、在除邊緣外的外延層上表面和槽底部和側面形成金屬硅化物勢壘層、上表面邊緣絕緣層和用于垂直導通的上下電極；襯底槽寬要大于外延層厚度的兩倍以上，外延層不能填滿整個槽，保證外延層也是槽形狀。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海安微電子有限公司，其通訊地址為：200030 上海市徐匯區桂平路680號33幢303-45室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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