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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利垂直場效應晶體管器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111916499B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010385780.1，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權垂直場效應晶體管器件及其制造方法是由宋昇炫;孫昌佑;鄭榮采;洪思煥設計研發完成，并于2020-05-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本垂直場效應晶體管器件及其制造方法在說明書摘要公布了：提供一種垂直場效應晶體管VFET器件及其制造方法。該VFET器件包括：鰭結構，形成在襯底上；柵極結構，包括形成在鰭結構的側壁的上部上的柵極電介質層以及形成在柵極電介質層的下部上的導體層；頂部源極漏極SD區，形成在鰭結構和柵極結構之上；底部SD區，形成在鰭結構和柵極結構之下；頂部間隔物，形成在柵極電介質層的上部上，并在頂部SD區與導體層的頂表面之間；以及底部間隔物，形成在柵極結構與底部SD區之間。柵極電介質層的頂表面定位在與頂部間隔物的頂表面相同或基本上相同的高度處、或者定位為低于頂部間隔物的頂表面，并高于導體層的頂表面。

本發明授權垂直場效應晶體管器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種垂直場效應晶體管器件，包括：鰭結構，形成在襯底上；柵極結構，該柵極結構包括：柵極電介質層，形成在所述鰭結構的側壁的上部上；和導體層，形成在所述柵極電介質層的下部上；頂部源極漏極區，形成在所述鰭結構和所述柵極結構之上；底部源極漏極區，形成在所述鰭結構和所述柵極結構之下；頂部間隔物，形成在所述柵極電介質層的上部上，并在所述頂部源極漏極區與所述導體層的頂表面之間；以及底部間隔物，形成在所述柵極結構與所述底部源極漏極區之間，其中所述柵極電介質層的頂表面定位在與所述頂部間隔物的頂表面相同的高度處或者定位為低于所述頂部間隔物的所述頂表面，并高于所述導體層的所述頂表面，其中所述柵極電介質層的在其上形成所述頂部間隔物的所述上部比所述柵極電介質層的所述下部橫向地更厚，所述柵極電介質層的所述下部沿著所述鰭結構的所述側壁的下部具有均勻的橫向厚度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。