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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112420613B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010850307.6，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體器件及其形成方法是由黃麟淯;王圣璁;張家豪;林天祿;林佑明;王志豪設計研發完成，并于2020-08-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請一方面提供一種形成半導體器件的方法，包括：在鰭部上方形成第一偽柵極和第二偽柵極，所述鰭部在襯底之上突出；分別用第一金屬柵極和第二金屬柵極替換所述第一偽柵極和所述第二偽柵極；在所述第一金屬柵極和所述第二金屬柵極之間形成介電切割圖案，與所述第一金屬柵極和所述第二金屬柵極相比，所述介電切割圖案從所述襯底延伸得更遠；在所述第一金屬柵極、所述第二金屬柵極、以及所述介電切割圖案上方形成圖案化的掩模層，所述圖案化的掩模層中的開口暴露出所述開口下面的所述第一金屬柵極的一部分、所述第二金屬柵極的一部分、以及所述介電切割圖案的一部分；用第一導電材料填充所述開口；以及使所述第一導電材料凹進到所述介電切割圖案的上表面的下方。本申請另一方面提供一種半導體器件。

本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，包括：在鰭部上方形成第一偽柵極和第二偽柵極，所述鰭部在襯底之上突出；在所述第一偽柵極和所述第二偽柵極周圍形成介電層，分別用第一金屬柵極和第二金屬柵極替換所述第一偽柵極和所述第二偽柵極，第三介電材料位于所述第一金屬柵極上和所述第二金屬柵極上，所述第一金屬柵極和所述第二金屬柵極低于所述介電層的頂面；在所述第一金屬柵極和所述第二金屬柵極之間形成介電切割圖案，與所述第一金屬柵極和所述第二金屬柵極相比，所述介電切割圖案從所述襯底向上延伸得更高；在所述第一金屬柵極、所述第二金屬柵極、以及所述介電切割圖案上方形成圖案化的掩模層，所述圖案化的掩模層中的開口暴露出所述開口下面的所述第一金屬柵極的一部分、所述第二金屬柵極的一部分、以及所述介電切割圖案的一部分；用第一導電材料填充所述開口；以及使所述第一導電材料凹進到所述介電切割圖案的遠離所述襯底的上表面的下方，其中，所述凹進使得填充在所述開口中的所述第一導電材料，被分隔成位于所述第一金屬柵極上方的第一接觸插塞和位于所述第二金屬柵極上方的第二接觸插塞。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。