恭喜意法半導體(圖爾)公司L·法盧爾獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜意法半導體(圖爾)公司申請的專利用于制造電子芯片的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112908866B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011299981.6，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權用于制造電子芯片的方法是由L·法盧爾設計研發完成，并于2020-11-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于制造電子芯片的方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種用于制造電子芯片的方法。該方法包括在半導體襯底的第一面上形成多個溝槽，在該半導體襯底中和該半導體襯底上已經形成多個集成電路。溝槽側向界定多個芯片，并且芯片中的每個芯片包括單個集成電路。該方法進一步包括通過在溝槽的側向壁上形成電隔離層，對芯片中的每個芯片的側翼進行電隔離。
本發明授權用于制造電子芯片的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制造芯片的方法，包括：形成穿過半導體襯底和互連層的多個溝槽，所述多個溝槽中的每個溝槽延伸穿過所述半導體襯底的第一面和所述半導體襯底的與所述第一面相對的第二面，所述互連層在所述半導體襯底的所述第二面上，所述半導體襯底包括多個集成電路，所述多個溝槽側向界定多個芯片，所述多個芯片各自包括所述多個集成電路中的集成電路，所述互連層包括用于所述多個芯片中的每個芯片的至少一個金屬連接焊盤；以及通過在所述半導體襯底的所述第一面和所述多個溝槽的側向壁上形成電隔離層，對所述多個芯片中的每個芯片的側翼進行電隔離，所述電隔離層設置在所述多個溝槽中的所述半導體襯底的側向壁和所述互連層的側向壁上，所述電隔離層包括至少一個氧化物層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體(圖爾)公司，其通訊地址為：法國圖爾；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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