恭喜上海華力集成電路制造有限公司謝磊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海華力集成電路制造有限公司申請的專利高壓MOS管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113948441B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111049362.6，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權高壓MOS管及其制造方法是由謝磊;何志斌設計研發完成，并于2021-09-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本高壓MOS管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種高壓MOS管的制造方法，包括：提供一襯底，其中形成有淺溝道隔離結構，并且其表面還形成有襯墊氧化層；形成掩膜層；刻蝕所述掩膜層、所述襯墊氧化層、所述淺溝道隔離結構和所述襯底以在所述淺溝道隔離結構和所述襯底中得到臺階式溝槽以及在所述臺階式溝槽中形成柵氧化層。本申請通過同時刻蝕高壓器件區域的襯底和淺溝道隔離結構形成臺階式溝槽，使得在臺階式溝槽中沉積的柵氧化層的頂表面與其周圍其他器件中壓、低壓器件區域的柵氧化層的頂表面趨于齊平，進而改善后續柵氧化層上方形成的偽多晶硅柵的高度均勻性，避免了在后續ILD0CMP工藝中高壓器件區域的偽多晶硅柵被過分誤研磨的情況，從而保證了金屬柵極的完整。
本發明授權高壓MOS管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種高壓MOS管的制造方法，其特征在于，包括：提供一襯底，所述襯底中形成有淺溝道隔離結構，所述淺溝道隔離結構周圍的所述襯底表面形成有襯墊氧化層；形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述淺溝道隔離結構和所述襯墊氧化層；刻蝕所述掩膜層和所述襯墊氧化層以露出部分所述襯底和部分所述淺溝道隔離結構；刻蝕所述淺溝道隔離結構和所述襯底以在所述淺溝道隔離結構和所述襯底中形成臺階式溝槽；以及，形成柵氧化層，所述柵氧化層填充所述臺階式溝槽至與所述襯墊氧化層頂表面齊平。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區良騰路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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