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龍圖騰網恭喜深圳先進技術研究院申請的專利突觸器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242795B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111428700.7，技術領域涉及：H10F77/00；該發明授權突觸器件及其制作方法是由鐘高闊設計研發完成，并于2021-11-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本突觸器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體結構的領域，尤其是涉及一種突觸器件及其制作方法，突觸器件包括突觸器件，包括：襯底；緩沖層，形成于所述襯底上；底電極層，形成于所述緩沖層上；鐵電層，形成于所述底電極層上；半導體光敏層，形成于所述鐵電層上；源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極間隔設置于所述半導體光敏層上。本申請能夠實現突觸器件的短時程可塑性以及長時程可塑性，并且兩種可塑性能夠實現切換，模擬生物突觸長時程增強和長時程抑制作用，有著基本的神經形態學習記憶規律，能夠模擬人腦神經元和突觸，適用于人工神經網絡計算中。

本發明授權突觸器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種突觸器件，其特征在于，包括：襯底（1），所述襯底（1）的材料包括云母材料；緩沖層（2），形成于所述襯底（1）上，所述緩沖層（2）的材料為CoFeO3，所述緩沖層（2）的厚度范圍為5nm-10nm；底電極層（3），形成于所述緩沖層（2）上，所述底電極層（3）的材料包括SrRuO3，所述底電極層（3）的厚度為30nm-60nm；所述底電極層（3）在所述緩沖層（2）上外延生長；鐵電層（4），形成于所述底電極層（3）上，所述鐵電層（4）的材料包括PbZr0.2Ti0.8O3，所述鐵電層（4）的厚度為180nm-250nm；半導體光敏層（5），形成于所述鐵電層（4）上，所述半導體光敏層（5）的材料包括ZnO，所述半導體光敏層（5）的厚度為25nm-50nm；源電極（6）和漏電極（7），所述源電極（6）和所述漏電極（7）分隔設置于所述半導體光敏層（5）上；所述半導體光敏層（5）對于紫外光敏感，在源電極（6）和漏電極（7）之間的紫外光照射下，所述半導體光敏層（5）會產生不同數量的光生載流子，并且光生載流子在電場下進行定向移動，進而改變通過源電極（6）或漏電極（7）的電流，以模擬生物突觸在光信號刺激下的響應；在所述底電極層（3）施加電壓，源電極（6）和漏電極（7）的源漏金屬電極與所述底電極層（3）之間形成電位差產生電場，以使所述半導體光敏層（5）中的光生載流子在電場方向下發生移動，以使源電極（6）和漏電極（7）之間形成導電溝道，在源電極（6）和漏電極（7）的源漏金屬電極與外部回路連接的狀態下，所述源漏金屬電極輸出電流IDS；在所述底電極層（3）施加的是一個負向脈沖電壓，導致電流IDS的下降，并且在脈沖間隔穩定，而所述鐵電層（4）在負向脈沖電壓作用下發生極化翻轉，會調控所述半導體光敏層（5）的電導，所述調控是非易失性的；給予所述突觸器件在0.26mWcm2紫外光下，每次照射2S，每兩次照射之間間隔8S的64個紫外光脈沖刺激，導致源漏極電流IDS的增強，對應于生物突觸的長時程增強作用；后，給予所述突觸器件64個脈沖峰值為-0.5V，脈寬為6S,脈沖間隔時間為4S的負向柵極脈沖電壓，所述鐵電層（4）在負向柵極脈沖電壓作用下發生極化翻轉，調控所述半導體光敏層（5）的電導，導致源漏極電流IDS的減弱，在脈沖間隔穩定，多個負向柵極脈沖電壓形成長時程抑制作用使得源漏極電流IDS回到初始態，對應于生物突觸的長時程抑制作用。

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