恭喜瑞礱科技股份有限公司何焱騰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜瑞礱科技股份有限公司申請的專利具有鋁酸鑭系介電層的III-V族半導體元件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115440578B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111539287.1，技術領域涉及：H10D64/01；該發明授權具有鋁酸鑭系介電層的III-V族半導體元件及其制造方法是由何焱騰;陳乃榕設計研發完成，并于2021-12-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有鋁酸鑭系介電層的III-V族半導體元件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有鋁酸鑭系介電層的III?V族半導體元件的制造方法，該制造方法包括下列步驟：在一片基板上成形一III?V族半導體通道層；在上述通道層上形成一阻擋層；在上述阻擋層上混層成形一La2?xAlxO3鋁酸鑭層，其中該X小于1且大于等于0.1，上述源極和上述漏極是暴露于上述阻擋層和上述鋁酸鑭層；以及在上述鋁酸鑭層上成形一源極、一漏極，以及一介于前述源極和前述漏極間的柵極。此外，本發明還涉及具有鋁酸鑭系介電層的III?V族半導體元件。
本發明授權具有鋁酸鑭系介電層的III-V族半導體元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種具有鋁酸鑭系介電層的III-V族半導體元件的制造方法，其特征是，包括下列步驟：a在一片基板上成形一III-V族半導體通道層；b在上述通道層上形成一阻擋層；c在上述阻擋層上形成彼此遠離的一源極和一漏極；d在上述阻擋層上混層成形一La2-xAlxO3鋁酸鑭層，其中該X小于1且大于等于0.1，其中上述源極和上述漏極是暴露于上述阻擋層和上述鋁酸鑭層；以及e在上述鋁酸鑭層上成形一介于上述源極和上述漏極間的柵極；其中，上述步驟d進一步包括交錯成長多個氧化鑭及多個氧化鋁層的次步驟d1；以及隨后施加攝氏400至800度退火，使得上述氧化鑭層及氧化鋁層均勻混層的次步驟d2。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人瑞礱科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣桃園市龍潭區渴望路185號之2；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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