恭喜天津市濱海新區微電子研究院畢津順獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜天津市濱海新區微電子研究院申請的專利一種三值邏輯晶體管器件結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141786B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111648298.3，技術領域涉及：H10D84/90；該發明授權一種三值邏輯晶體管器件結構及其制備方法是由畢津順設計研發完成，并于2021-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種三值邏輯晶體管器件結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種三值邏輯晶體管器件結構及其制備方法，該結構包括：一襯底，以提供支撐；重摻雜隧穿區；位于重摻雜隧穿區上方的埋氧層；位于埋氧層上的頂層硅膜；重摻雜隧穿區兩側的源區和漏區；位于源區、漏區和重頂層硅膜上的柵氧層以及柵極。本發明使用絕緣體上半導體結構，即在重摻雜隧穿區上方增加一層埋氧層，在實現CMOS器件三值邏輯的同時，可有效避免高濃度摻雜對溝道上方閾值電壓VT的影響。
本發明授權一種三值邏輯晶體管器件結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種三值邏輯晶體管器件結構，其特征在于：該結構包括：一襯底，以提供支撐；重摻雜隧穿區；位于重摻雜隧穿區上方的埋氧層；位于埋氧層上的頂層硅膜；重摻雜隧穿區兩側的源區和漏區；位于源區、漏區和重頂層硅膜上的柵氧層以及柵極，源區和漏區從SOI晶片頂表面延伸至重摻雜隧穿區兩側并與重摻雜隧穿區接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津市濱海新區微電子研究院，其通訊地址為：300000 天津市濱海新區驪山道以北、廬山北道以南海洋建設大廈1104；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號