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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州法夏科技有限公司申請的專利一種光電及射線輻射線陣硅微條探測器制備工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114823760B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210557525.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/12；該發(fā)明授權(quán)一種光電及射線輻射線陣硅微條探測器制備工藝是由李鵬設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-05-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種光電及射線輻射線陣硅微條探測器制備工藝在說明書摘要公布了：一種光電及射線輻射線陣硅微條探測器制備工藝，探測器的單像素結(jié)構(gòu)制備流程如下，步驟一：在高阻N型低摻雜半導(dǎo)體襯底上，通過離子注入形成一個N型重摻雜區(qū)域，經(jīng)溝槽刻蝕、外延生長、離子注入形式形成三維P型重摻雜及其同摻雜類型的展臂結(jié)構(gòu)；步驟二：在重摻雜區(qū)域的像素邊緣通過溝槽刻蝕、外延生長、離子注入形式形成三維N型重摻雜，像素N型重摻雜區(qū)域通過金屬電極引出，加載高電位，其中，半導(dǎo)體襯底的底部為N型重摻雜區(qū)域；步驟三：對像素中部的三維P型重摻雜及其同摻雜類型的展臂結(jié)構(gòu)通過金屬電極引出，加載低電位。本發(fā)明可以降低光生載流子的漂移行程，能提高整體探測效率，避免像素間電荷串擾，能加速子載流子收集。

本發(fā)明授權(quán)一種光電及射線輻射線陣硅微條探測器制備工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光電及射線輻射線陣硅微條探測器制備工藝，其特征在于探測器的單像素結(jié)構(gòu)制備流程如下，步驟一：在高阻N型低摻雜半導(dǎo)體襯底的上表面，通過離子注入形成一個N型重摻雜區(qū)域，經(jīng)溝槽刻蝕、外延生長、離子注入形式形成三維P型重摻雜區(qū)域及其同摻雜類型的展臂結(jié)構(gòu)，P型重摻雜區(qū)域和展臂結(jié)構(gòu)連接，P型重摻雜區(qū)域沿半導(dǎo)體襯底的厚度方向延伸，展臂結(jié)構(gòu)沿半導(dǎo)體襯底的長度方向延伸；步驟二：在重摻雜區(qū)域的像素邊緣通過溝槽刻蝕、外延生長、離子注入形式形成三維N型重摻雜區(qū)域，像素N型重摻雜區(qū)域通過金屬電極引出，加載高電位，其中，半導(dǎo)體襯底的底部為N型重摻雜區(qū)域；步驟三：對像素中部的三維P型重摻雜區(qū)域及其同摻雜類型的展臂結(jié)構(gòu)通過金屬電極引出，加載低電位；具體應(yīng)用時，外部探測點位的光子入射后激發(fā)的電子載流子會向N型重摻雜區(qū)域漂移，激發(fā)的空穴載流子會向P型重摻雜區(qū)域漂移，探測器中展臂結(jié)構(gòu)布置在半導(dǎo)體襯底厚度方向的中間位置，能降低光生載流子的漂移行程，降低載流子被探測器內(nèi)部缺陷或陷阱捕獲的概率，進而改善探測器對載流子的收集時間，提高整體探測效率。

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