買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜上海精測半導體技術有限公司申請的專利一種基于雙斐索干涉儀的晶片厚度測量裝置及測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115014213B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210594888.0，技術領域涉及：G01B11/06；該發明授權一種基于雙斐索干涉儀的晶片厚度測量裝置及測量方法是由葉星辰;劉珈汐;陳夢來設計研發完成，并于2022-05-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于雙斐索干涉儀的晶片厚度測量裝置及測量方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于雙斐索干涉儀的晶片厚度測量裝置及測量方法，該裝置包括環境檢測系統和中央處理單元，環境檢測系統用于測量第一參考鏡和第二參考鏡周邊的環境參數，中央處理單元用于對空腔形貌進行Zernike擬合，將空腔形貌分解為1階形貌和大于1階的高階形貌，利用不同環境下測量得到的環境參數，通過擬合構建環境參數與參考鏡傾斜系數關系式，利用所述關系式計算測量時的1階形貌修正量，利用1階形貌修正量替換原1階形貌，進而計算晶片各坐標點的厚度。通過環境檢測系統實時監控兩參考鏡的傾斜變化，進而對晶片絕對厚度的傾斜量進行補償，由此實現晶片絕對厚度分布進行精確重建。

本發明授權一種基于雙斐索干涉儀的晶片厚度測量裝置及測量方法在權利要求書中公布了：1.一種基于雙斐索干涉儀的晶片厚度測量裝置，其特征在于，包括：對稱設置的第一斐索干涉儀和第二斐索干涉儀，第一斐索干涉儀包括第一參考鏡，第二斐索干涉儀包括第二參考鏡，所述第一參考鏡和第二參考鏡之間形成能夠放置晶片的空腔；所述第一斐索干涉儀和第二斐索干涉儀基于干涉測量原理，獲取待測晶片前表面形貌、后表面形貌以及空腔形貌；環境檢測系統，用于測量第一參考鏡和第二參考鏡周邊的環境參數；中央處理單元，用于對空腔形貌進行Zernike擬合，將空腔形貌分解為1階形貌和大于1階的高階形貌，、為傾斜系數，用于建立所述環境參數和傾斜系數的關系式，所述關系式為至少一階的多項式，利用不同環境下測量得到的所述環境參數和傾斜系數，通過擬合確定所述關系式，用于利用所述關系式計算測量時的1階形貌修正量，用于根據下式計算晶片上坐標點的厚度： 式中表示通過測厚機構測量晶片實際厚度所得的平移補償量；隔離腔體，所述第一參考鏡和第二參考鏡設置于所述隔離腔體內；所述環境檢測系統包括多個傳感器，所述多個傳感器中至少兩個傳感器設置于所述隔離腔體內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海精測半導體技術有限公司，其通訊地址為：201700 上海市青浦區徐涇鎮雙浜路269、299號1幢1、3層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。