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龍圖騰網(wǎng)恭喜烏鎮(zhèn)實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)的專利一種Cu₈GeSe₆基熱電晶體的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119372762B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411966593.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B11/00；該發(fā)明授權(quán)一種Cu₈GeSe₆基熱電晶體的制備方法是由萬舜;白旭東;魏天然;金敏;趙琨鵬;金涵設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-30向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種Cu₈GeSe₆基熱電晶體的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種Cu8GeSe6基熱電晶體的制備方法，包括以下步驟：將單質(zhì)混合熔融制成Cu8GeSe6基多晶體；將Cu8GeSe6基多晶體置于熱導(dǎo)率高于100W·m?1·K?1的坩堝內(nèi)，真空密封后放入垂直生長(zhǎng)爐中；垂直生長(zhǎng)爐內(nèi)自上而下設(shè)有溫度依次降低的溫區(qū)I、溫區(qū)II和溫區(qū)III；將裝有Cu8GeSe6基多晶體的坩堝在溫區(qū)I內(nèi)進(jìn)行晶體熔化后，下移至溫區(qū)II內(nèi)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，再下移至溫區(qū)III內(nèi)進(jìn)行退火。本發(fā)明的制備方法能夠減少Cu8GeSe6基熱電晶體內(nèi)的孔洞，從而提高其力學(xué)強(qiáng)度，同時(shí)還能使Cu8GeSe6基熱電晶體在300~500K溫度范圍內(nèi)具有更低的熱導(dǎo)率。

本發(fā)明授權(quán)一種Cu₈GeSe₆基熱電晶體的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種Cu8GeSe6基熱電晶體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S1：將單質(zhì)混合熔融制成Cu8GeSe6基多晶體；S2：將Cu8GeSe6基多晶體置于熱導(dǎo)率高于100W·m-1·K-1的坩堝內(nèi)；將坩堝抽真空后充惰性氣體，重復(fù)多次，最后一次充惰性氣體至坩堝內(nèi)氣壓為4×10-4~6×10-4Pa后密封，放入垂直生長(zhǎng)爐中；垂直生長(zhǎng)爐內(nèi)自上而下設(shè)有溫度依次降低的溫區(qū)I、溫區(qū)II和溫區(qū)III；S3：將裝有Cu8GeSe6基多晶體的坩堝在溫區(qū)I內(nèi)進(jìn)行晶體熔化后，以0.3~0.5mmh的速度下移至溫區(qū)II內(nèi)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，再以0.1~0.5mmh的速度下移至溫區(qū)III內(nèi)進(jìn)行退火，得Cu8GeSe6基熱電晶體。

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