恭喜國科大杭州高等研究院李寧獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜國科大杭州高等研究院申請的專利一種PbSe薄膜肖特基結探測器、制備方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119421511B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510001162.5，技術領域涉及：H10F30/227；該發明授權一種PbSe薄膜肖特基結探測器、制備方法及其應用是由李寧;胡佳鵬;仲方;陸衛設計研發完成，并于2025-01-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種PbSe薄膜肖特基結探測器、制備方法及其應用在說明書摘要公布了：本發明的一種PbSe薄膜肖特基結探測器、制備方法及其應用，包括鈦酸鍶襯底，在鈦酸鍶襯底上的PbSe薄膜，PbSe薄膜一端轉移石墨烯薄片，分別在PbSe薄膜和石墨烯薄片上制備電極。在PbSe薄膜和石墨烯薄片上的電極分別是源電極和漏電極；源電極和漏電極為下層金屬Cr和上層金屬Au復合電極，PbSe薄膜和石墨烯分別與Cr形成肖特基結和歐姆接觸，制備PbSe薄膜肖特基結探測器。本發明具備室溫中波紅外高比探測率和高靈敏度氣體探測，同時器件小型化和低功耗，便于集成化且適應多場景應用。
本發明授權一種PbSe薄膜肖特基結探測器、制備方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種PbSe薄膜肖特基結探測器，其特征在于：包括鈦酸鍶襯底，在鈦酸鍶襯底上的PbSe薄膜，PbSe薄膜一端轉移石墨烯薄片，分別在PbSe薄膜和石墨烯薄片上制備電極，在PbSe薄膜和石墨烯薄片上的電極分別是源電極和漏電極；源電極和漏電極均為由下層金屬Cr和上層金屬Au堆疊而成的復合電極，利用Cr金屬和石墨烯薄片分別作為PbSe薄膜接觸電極，通過Cr金屬與PbSe薄膜形成金屬半導體接觸，產生肖特基勢壘，通過石墨烯薄片與PbSe薄膜形成歐姆接觸。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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