恭喜三星電子株式會社裴鎮國獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利包括凸塊結構的半導體芯片和包括半導體芯片的半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110676227B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910309072.7，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權包括凸塊結構的半導體芯片和包括半導體芯片的半導體封裝是由裴鎮國;鄭顯秀;柳翰成;李仁榮;李燦浩設計研發完成，并于2019-04-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括凸塊結構的半導體芯片和包括半導體芯片的半導體封裝在說明書摘要公布了：一種半導體芯片包括半導體襯底。電極焊盤設置在半導體襯底上。電極焊盤包括低k材料層。第一保護層至少部分地圍繞電極焊盤。第一保護層包括位于其上部的第一開口。緩沖焊盤電連接到電極焊盤。第二保護層至少部分地圍繞緩沖焊盤。第二保護層包括位于其上部的第二開口。柱層和焊料層順序地堆疊在緩沖焊盤上。緩沖焊盤的厚度大于電極焊盤的厚度。第一開口在平行于半導體襯底的上表面的第一方向上的寬度等于或大于第二開口在第一方向上的寬度。
本發明授權包括凸塊結構的半導體芯片和包括半導體芯片的半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體芯片，包括：半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有低k材料層；電極焊盤，設置在所述半導體襯底上；第一保護層，至少部分地圍繞所述電極焊盤，所述第一保護層包括在其上部的第一開口；緩沖焊盤，所述緩沖焊盤接觸所述電極焊盤和所述第一保護層，電連接到所述電極焊盤，并被配置為減輕施加到所述電極焊盤的應力；第二保護層，至少部分地圍繞所述緩沖焊盤，所述第二保護層包括在其上部的第二開口；以及柱層和焊料層，順序地堆疊在所述緩沖焊盤上，其中，所述緩沖焊盤的厚度大于所述電極焊盤的厚度，并且其中，所述第一開口在平行于所述半導體襯底的上表面的第一方向上的寬度等于或大于所述第二開口在所述第一方向上的寬度，其中，所述電極焊盤在所述第一方向上的寬度小于所述緩沖焊盤在所述第一方向上的寬度，其中，所述柱層在所述第一方向上的寬度小于所述緩沖焊盤在所述第一方向上的寬度，且大于所述電極焊盤在所述第一方向上的寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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