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龍圖騰網(wǎng)恭喜杰華特微電子股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利可控硅型靜電放電器件及集成電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111446242B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202010386741.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權(quán)可控硅型靜電放電器件及集成電路是由胡濤設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-05-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本可控硅型靜電放電器件及集成電路在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：公開(kāi)了一種可控硅型靜電放電器件及集成電路，該可控硅型靜電放電器件以傳統(tǒng)LDMOS?SCR器件為基礎(chǔ)，將漏端的N阱區(qū)拆分為與該N阱區(qū)中的第二P摻雜區(qū)和第二N摻雜區(qū)相匹配的第一N阱區(qū)和第二N阱區(qū)，提高了N阱區(qū)的寄生電阻，使其在ESD放電電流下的壓降提升更快，使寄生PNP管的開(kāi)啟速度更快，提高可控硅型靜電放電器件的開(kāi)啟速度，提高了靜電放電保護(hù)水平。該集成電路包括該可控硅型靜電放電器件。本發(fā)明的可控硅型靜電放電器件的結(jié)構(gòu)改進(jìn)簡(jiǎn)易，在無(wú)工藝成本增加的情況下提升了的可控硅型靜電放電器件的開(kāi)啟速度，提升了靜電放電防護(hù)水平。

本發(fā)明授權(quán)可控硅型靜電放電器件及集成電路在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種可控硅型靜電放電器件，其特征在于，包括：襯底；P阱區(qū)，位于所述襯底中；漂移區(qū)，位于所述襯底中，且與所述P阱區(qū)無(wú)交疊；第一P摻雜區(qū)和第一N摻雜區(qū)，位于所述P阱區(qū)中，所述第一P摻雜區(qū)較所述第一N摻雜區(qū)遠(yuǎn)離所述漂移區(qū)，且所述第一P摻雜區(qū)和所述第一N摻雜區(qū)由第一隔離層分隔開(kāi)；第一N阱區(qū)和第二N阱區(qū)，位于所述漂移區(qū)中，且彼此間距大于零；第二P摻雜區(qū)和第二N摻雜區(qū)，分別位于所述第一N阱區(qū)和所述第二N阱區(qū)中，所述第二P摻雜區(qū)較所述第二N摻雜區(qū)靠近所述P阱區(qū)，且所述第二P摻雜區(qū)和所述第二N摻雜區(qū)由第二隔離層分隔開(kāi)；柵氧化層，設(shè)置在所述P阱區(qū)和所述第一N阱區(qū)之間，一端與所述第一N摻雜區(qū)接觸，另一端與所述第二P摻雜區(qū)接觸；多晶硅層，設(shè)置在所述柵氧化層上。

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