恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司鄭二虎獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114188319B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010968020.3，技術領域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權半導體結構及其形成方法是由鄭二虎設計研發(fā)完成，并于2020-09-15向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干柵極結構、以及覆蓋柵極結構側壁面的第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層內(nèi)形成若干隔斷結構，每個所述隔斷結構位于柵極結構的一側或兩側。從而，降低了形成半導體結構的工藝的難度。
本發(fā)明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的若干柵極結構；位于所述基底上的第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層還位于所述柵極結構的側壁面；位于所述第一介質(zhì)層內(nèi)的若干隔斷結構，每個所述隔斷結構位于柵極結構的一側或兩側；位于所述第一介質(zhì)層內(nèi)的互連開口，至少一個所述互連開口暴露出所述基底表面以及隔斷結構的側壁面；所述隔斷結構用于形成間隔的互連開口；位于所述互連開口內(nèi)的互連結構，所述互連結構暴露出所述第一介質(zhì)層表面以及所述隔斷結構表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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