恭喜美光科技公司A·S·瓦達獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜美光科技公司申請的專利存儲器陣列和用于形成存儲器陣列的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113345486B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110138367.X,技術領域涉及:G11C7/18;該發明授權存儲器陣列和用于形成存儲器陣列的方法是由A·S·瓦達;R·J·希爾;A·M·洛設計研發完成,并于2021-02-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本存儲器陣列和用于形成存儲器陣列的方法在說明書摘要公布了:本申請案涉及存儲器陣列和用于形成存儲器陣列的方法。一種用于形成存儲器陣列的方法包括在上方形成數字線并且所述數字線電耦合到其下方的存儲器單元。所述數字線在豎直橫截面中相對于彼此橫向間隔開。向上開放的空隙空間橫向地位于所述豎直橫截面中的緊鄰的所述數字線之間。用掩蔽材料覆蓋所述數字線的導電材料,所述掩蔽材料在所述向上開放的空隙空間中并且不足以填滿所述向上開放的空隙。從所述數字線的頂部正上方去除所述掩蔽材料以暴露導電數字線材料,并在所述向上開放的空隙空間中的所述導電數字線材料的側壁上方留下所述掩蔽材料。絕緣材料相對于所述掩蔽材料跨越所述向上開放的空隙空間從暴露的導電數字線材料選擇性地生長以形成在所述豎直橫截面中的所述緊鄰數字線之間的覆蓋的空隙空間。公開了與方法無關的結構。
本發明授權存儲器陣列和用于形成存儲器陣列的方法在權利要求書中公布了:1.一種用于形成存儲器陣列的方法,其包括:在上方形成數字線并且所述數字線電耦合到其下方的存儲器單元,所述數字線在豎直橫截面中彼此橫向間隔開,向上開放的空隙空間橫向地位于所述豎直橫截面中的緊鄰的所述數字線之間;用掩蔽材料覆蓋所述數字線的導電材料,所述掩蔽材料在所述向上開放的空隙空間中并且不足以填滿所述向上開放的空隙;從所述數字線的頂部正上方去除所述掩蔽材料以暴露導電數字線材料,并在所述向上開放的空隙空間中的所述導電數字線材料的側壁上方留下所述掩蔽材料;以及相對于所述掩蔽材料跨越所述向上開放的空隙空間從暴露的導電數字線材料選擇性地生長絕緣材料以在所述豎直橫截面中的所述緊鄰數字線之間形成覆蓋的空隙空間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人美光科技公司,其通訊地址為:美國愛達荷州;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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