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龍圖騰網恭喜上海華力集成電路制造有限公司申請的專利標準單元庫邊緣單元的版圖布局設計方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114036889B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111268380.3，技術領域涉及：G06F30/392；該發明授權標準單元庫邊緣單元的版圖布局設計方法是由張凱設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本標準單元庫邊緣單元的版圖布局設計方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種標準單元庫邊緣單元的版圖布局設計方法，其包括以下步驟：步驟一，根據對應標準單元庫的基本參數和流片廠家提供的設計規則文件中最小設計規則，確定邊緣單元的基本參數；步驟二，根據所述邊緣單元的基本參數和版圖設計規則，設計所述邊緣單元，具體有六種邊緣單元，分別是第一邊緣單元、第二邊緣單元、第三邊緣單元、第四邊緣單元、第五邊緣單元、第六邊緣單元；步驟三，數字后端進行設計邊緣單元的版圖時，合理插入所述邊緣單元于IP模塊的外沿，從而實現P阱隔離。本發明優化標準單元庫的設計開發流程，可以實現不同器件類型的標準單元水平拼接，提高數字電路的后端設計效率。

本發明授權標準單元庫邊緣單元的版圖布局設計方法在權利要求書中公布了：1.一種標準單元庫邊緣單元的版圖布局設計方法，其特征在于，其包括以下步驟：步驟一，根據對應標準單元庫的基本參數和流片廠家提供的設計規則文件中最小設計規則，確定邊緣單元的基本參數；步驟二，根據所述邊緣單元的基本參數和版圖設計規則，設計所述邊緣單元，具體有六種邊緣單元，分別是第一邊緣單元、第二邊緣單元、第三邊緣單元、第四邊緣單元、第五邊緣單元、第六邊緣單元；所述第一邊緣單元的版圖中，DeepN-Well覆蓋整個邊緣單元，PMOS區域被N-Well層覆蓋，NMOS區域被P-Well層覆蓋；所述第二邊緣單元的版圖中，DeepN-Well覆蓋整個邊緣單元，NMOS區域被N-Well層覆蓋，PMOS區域被P-Well層覆蓋；所述第三邊緣單元的版圖中，DeepN-Well覆蓋整個邊緣單元，PMOS區域和NMOS區域的左半部分被N-Well層覆蓋，NMOS區域的右半部分為P-Well；所述第四邊緣單元的版圖中，DeepN-Well覆蓋整個邊緣單元，NMOS區域和PMOS區域的左半部分被N-Well層覆蓋，PMOS區域的右半部分為P-Well；所述第五邊緣單元的版圖中，DeepN-Well覆蓋整個邊緣單元，PMOS區域和NMOS區域都被N-Well層覆蓋；所述第六邊緣單元的版圖中，DeepN-Well覆蓋整個邊緣單元，PMOS區域的左半部分和NMOS區域的左半部分被N-Well層覆蓋，PMOS區域的右半部分和NMOS區域的右半部分為P-Well；步驟三，數字后端進行設計邊緣單元的版圖時，合理插入所述邊緣單元于IP模塊的外沿，從而實現P阱隔離。

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