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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119626987B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510148716.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法是由黃爽;李陽陽;楊杰;王瑞;高志杰設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-02-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，利用形成隔離結(jié)構(gòu)的研磨過程在隔離結(jié)構(gòu)的頂面形成的凹陷區(qū)域，在凹陷區(qū)域形成保護(hù)層保護(hù)隔離結(jié)構(gòu)，利用保護(hù)層保護(hù)隔離結(jié)構(gòu)刻蝕去除硬掩膜層，避免除硬掩膜層的過程刻蝕到隔離結(jié)構(gòu)導(dǎo)致不同區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)出現(xiàn)高度差；本公開在去除硬掩膜層之后在襯底頂面外延形成外延層，外延層與隔離結(jié)構(gòu)之間的襯底共同作為有源區(qū)，以使有源區(qū)的頂面與隔離結(jié)構(gòu)的頂面平齊，實現(xiàn)對有源區(qū)的高度的調(diào)節(jié)，消除了隔離結(jié)構(gòu)與有源區(qū)的臺階高度，有利于提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：提供初始結(jié)構(gòu)，所述初始結(jié)構(gòu)包括襯底以及形成在所述襯底中的隔離結(jié)構(gòu)，所述襯底的頂面被硬掩膜層覆蓋，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂面高于所述襯底的頂面，且所述隔離結(jié)構(gòu)的頂面相對于所述硬掩膜層凹陷；所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)與所述第二區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)的頂面的凹陷深度不同；形成保護(hù)層覆蓋所述隔離結(jié)構(gòu)的頂面并填充所述隔離結(jié)構(gòu)的凹陷的區(qū)域，所述第一區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)上的所述保護(hù)層的頂面高度與所述第二區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)的頂面上的所述保護(hù)層的頂面高度平齊；刻蝕去除所述硬掩膜層，暴露出所述襯底的頂面；在所述襯底的頂面上外延形成外延層，所述外延層用于作為有源區(qū)，所述有源區(qū)的頂面與所述保護(hù)層的頂面平齊；外延形成所述外延層之后，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的頂面平齊。

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