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龍圖騰網恭喜清華大學申請的專利一種氮化鎵α粒子探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119698087B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510193308.0，技術領域涉及：H10F30/29；該發明授權一種氮化鎵α粒子探測器及其制備方法是由葉敏杰;陳少敏;劉澤文設計研發完成，并于2025-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氮化鎵α粒子探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種氮化鎵α粒子探測器及其制備方法，包括硅襯底、多級中間層和GaN外延層，多級中間層形成于硅襯底與GaN外延層之間，且多級中間層至少包括Al元素含量漸變的分級層。通過在硅襯底與GaN外延層之間形成分級層，并將分級層內Al元素的含量自靠近硅襯底的一側向靠近GaN外延層的一側逐漸降低，實現對分級層晶格常數的漸變調控，從而有效緩解GaN外延層與硅襯底之間的晶格失配，降低GaN外延層的缺陷密度，并提升其結晶質量，最終，在硅襯底上生長高質量的厚膜GaN外延層，實現制備基于硅襯底的氮化鎵α粒子探測器。

本發明授權一種氮化鎵α粒子探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化鎵α粒子探測器，用于對α粒子進行探測，其特征在于，包括：硅襯底；多級中間層，形成于所述硅襯底上；所述多級中間層還包括自下而上依次層疊的分級層、GaN高阻層、AlGaN漸變層、GaN低阻層和GaN漸變層；GaN外延層，形成于所述GaN漸變層上，所述GaN外延層為厚膜非摻雜GaN外延層，所述GaN外延層的厚度范圍介于10μm~30μm之間；其中，所述分級層至少包括自下而上依次層疊的AlN層、AlGaN層和GaN層；所述AlGaN層中Al元素的含量漸變，且Al元素含量自靠近所述AlN層的一側向靠近所述GaN層的一側逐漸降低；所述AlGaN漸變層中Al元素的含量漸變，且Al元素含量自靠近所述GaN高阻層的一側向靠近所述GaN低阻層的一側逐漸降低；所述GaN漸變層含有摻雜濃度漸變的Si元素，且Si元素在所述GaN漸變層內的摻雜濃度自靠近所述GaN低阻層的一側向靠近所述GaN外延層的一側逐漸降低。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人清華大學，其通訊地址為：100084 北京市海淀區清華園；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。