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龍圖騰網恭喜江蘇吉萊微電子股份有限公司;成都吉萊芯科技有限公司申請的專利一種雙向低觸發電壓ESD保護器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119698072B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510220640.1，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權一種雙向低觸發電壓ESD保護器件是由張春生;張鵬;楊玨琳;宋文龍;陳城;劉湘設計研發完成，并于2025-02-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙向低觸發電壓ESD保護器件在說明書摘要公布了：本發明公開一種雙向低觸發電壓ESD保護器件，包括SOI型P襯底材料、從下至上依序設置在SOI型P襯底材料表面的NWdeep阱區、PW1阱區、PW2阱區，在NWdeep阱區、PW1阱區、PW2阱區以及SOI型P襯底材料中形成PSD歐姆接觸區和NSD歐姆接觸區，該ESD保護器件通過兩個槽區電學隔離從左至右依次分為輔助觸發三極管NPN4、SCR單元以及輔助觸發三極管NPN3。該結構將傳統雙向SCR結構的10V以上的觸發電壓降低至4V左右，可以通過PW2的尺寸進行與PW2的劑量進行調節。由于輔助觸發單元的兩個穿通三極管只起到輔助觸發SCR開啟的作用，主要的電流泄放路徑為SCR結構，所以輔助觸發單元并不會占用很大的版圖面積，同時采用雙向SCR結構可有效降低現有反向并聯構成的雙向低觸發電壓ESD保護器件的版圖面積。

本發明授權一種雙向低觸發電壓ESD保護器件在權利要求書中公布了：1.一種雙向低觸發電壓ESD保護器件，其特征在于，包括SOI型P襯底材料（110）、從下至上依序設置在所述SOI型P襯底材料（110）表面的NWdeep阱區（120）、PW1阱區（130）、PW2阱區（140），在所述NWdeep阱區（120）、PW1阱區（130）、PW2阱區（140）以及SOI型P襯底材料（110）中形成PSD歐姆接觸區（160）和NSD歐姆接觸區（150），該ESD保護器件通過兩個槽區（170）電學隔離從左至右依次分為輔助觸發三極管NPN4、SCR單元以及輔助觸發三極管NPN3于，構成兩個NPN和一個PNP結構；還包括第一金屬電極（101）和第二金屬電極（102），所述第一金屬電極（101）和第二金屬電極（102）通過互聯金屬構成電流回路，當電壓從第一金屬電極（101）施加到第二金屬電極（102）時，SCR路徑為PNP到NPN2，當電壓從第二金屬電極（102）施加到第一金屬電極（101）時，SCR路徑為PNP到NPN1。

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