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龍圖騰網恭喜金陽(泉州)新能源科技有限公司申請的專利一種設置正面倒金字塔結構的背接觸電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119767861B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510229061.3，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種設置正面倒金字塔結構的背接觸電池及其制備方法是由林楷睿設計研發完成，并于2025-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種設置正面倒金字塔結構的背接觸電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于背接觸電池技術領域，具體涉及一種設置正面倒金字塔結構的背接觸電池及其制備方法，包括如下步驟：S1、對硅片進行吸雜處理；之后進行高溫擴散；S2、去除硅片背面的富磷氧化硅層，之后對該面進行單面拋光；S3、在S2硅片拋光面形成第一半導體層；S4、清洗去除第一半導體層表面自然形成的PSG層；S5、背面沉積掩膜層；S6、背面形成間隔分布的第二半導體開口區；S7、拋光；S8、去除正面的富磷氧化硅層，之后采用包括堿和含環糊精制絨添加劑的制絨液進行制絨清洗。本發明能夠形成正背面不同金字塔形貌，利于在保證較好的背面鈍化性能的同時有效降低正面反射率，從而利于提升開路電壓、短路電流和電池效率。

本發明授權一種設置正面倒金字塔結構的背接觸電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種設置正面倒金字塔結構的背接觸電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：S1、對硅片進行吸雜處理，吸雜處理的過程包括：在硅片兩面表面沉積厚度為100-1000?的富磷氧化硅層，富磷氧化硅層的磷摻雜濃度為1e18cm-3-5e19cm-3；之后進行高溫擴散，高溫擴散的溫度為700-900℃；S2、去除硅片背面的富磷氧化硅層，之后對該面進行單面拋光；S3、在S2硅片拋光面形成第一半導體層；S4、清洗去除第一半導體層表面自然形成的PSG層；S5、在第一半導體層表面沉積掩膜層；S6、在S5硅片背面掩膜層上進行第一刻蝕，去除掩膜層及其對應部分第一半導體層，形成間隔分布的第二半導體開口區；S7、拋光，以去除背面第二半導體開口區內的損傷層和正面的第一半導體繞鍍層；S8、去除正面的富磷氧化硅層，之后采用包括堿和含環糊精制絨添加劑的制絨液進行制絨清洗，以在正面形成倒金字塔絨面，同時在背面的第二半導體開口區內形成正金字塔絨面，并去除一半以上厚度的掩膜層；正面倒金字塔絨面的反射率為7%-8%，背面正金字塔絨面的反射率為11%-12%；所述含環糊精制絨添加劑中還包括：以制絨添加劑總量計，0.01wt%-0.5wt%的木質素磺酸鈉，0.1wt%-5wt%的海藻酸鈉，0.05wt%-0.1wt%的苯甲酸鈉；S8所述制絨清洗至少包括兩步：先采用包括第一含環糊精制絨添加劑的第一制絨液進行第一制絨，后采用包括第二含環糊精制絨添加劑的第二制絨液進行第二制絨，第一含環糊精制絨添加劑中環糊精的質量含量為0.001wt%-0.1wt%，第二含環糊精制絨添加劑中環糊精的質量含量為0.0001wt%-0.01wt%；S11、背面形成第二半導體層。

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